用于制造转换薄板的方法和转换薄板技术

提出一种用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板（4）的方法，其中将基本材料（3）连同包含在基本材料中的转换材料借助于双层模板（1）施加到衬底（2）上。此外，提出一种用于发射辐射的半导体器件的转换薄板（4），所述转换薄板具有基本材料（3）和嵌在基本材料中的转换材料，其中转换薄板（4）的厚度（D2）位于60μm和170μm之间的范围中，包括边界值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的用于制造用于发射辐射的半导体器件的转换薄板的方法。此外，本专利技术涉及一种根据权利要求13所述的用于发射辐射的半导体器件的转换薄板。
技术介绍
此外，传统情况下还借助于丝网印刷法来制造转换薄板。在此，转换薄板的层厚通过选择具有不同厚度的掩模的丝网来控制。然而在此，这样制成的转换薄板的层厚在丝网印刷法中限制于大约40μπι。此外，在借助于丝网印刷法制造的转换薄板中，薄板的轮廓以及薄板的尺寸和形状的可复制性都可能不利地波动。
技术实现思路
本专利技术基于的目的是，提出一种用于制造具有高的层厚并且同时具有改良的可复制性以及改良的棱边质量的转换薄板的方法。此外，本专利技术基于的目的是，提供一种转换薄板，所述转换薄板的特征在于高的层厚。此外，所述目的通过一种具有权利要求1的特征的用于制造转换薄板的方法和具有权利要求13的特征的转换薄板来实现。转换薄板的和用于制造转换薄板的方法的有利的改进形式是从属权利要求的主题。根据本专利技术提出一种用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板的方法，其中将基本材料连同包含在所述基本材料中的转换材料借助于双层模板施加到衬底上。因此，转换薄板没有如同常规地借助丝网印刷法来制造，而是借助于双层模板来施加。在此，双层模板由于其可变的厚度而适于制造尤其厚的转换薄板。相反，传统情况下应用的丝网由于其最高为40 μ m的低的厚度而局限于此，以至于借助传统的制造方法不能够实现转换薄板的高的层厚。此外，能够有利地通过相应地最优化地设计模板，例如孔径、形状和大小，对转换薄板的形状产生影响。此外，通过借助于双层模板的制造方法来改进薄板的轮廓以及薄板的尺寸的可复制性。这样制造的转换薄板的增加的层厚的特征在于大的转换材料体积。因此可能的是，此外对色坐标进行控制，这借助于传统技术是不能够实现的。此外，增加的薄板厚度能够实现对特别在例如为效率、温度或持久稳定性的特性方面是最优化的转换材料的使用。色坐标尤其理解成在CIE色彩空间中对器件所发射的辐射的颜色进行描述的数值。转换材料尤其适于将一个波长的辐射转换成另一波长的辐射。具有这类转换材料的转换薄板例如用于发射辐射的半导体器件，其中在这种情况下，将转换薄板设置在半导体器件的辐射出射侧的下游并且定向成将由半导体器件发射的辐射的至少一部分转换成另一波长的辐射。在一个改进形式中，以两步式平板印刷和镀镍方法来制造双层模板。因此，构成模板的双层结构，其中模板的两个结构有利地由相同的材料制成。在此，第二层例如确定待印刷的结构的、即转换薄板的厚度和构造或形状。双层模板特别是尤其适于下述应用，其中重要的是高精度并且有利地提供高的使用寿命。此外，双层模板能够实现印刷不同大小的精细的线和结构。在一个改进形式中，模板包含镍。优选地，模板仅由一种材料制成，例如镍。因此，有利地，用于转换薄板的基本材料能够最优化地匹配于所期望的要求。由于使用最优化的基本材料的可能性，此外能够实现更好的可印刷性，由此能够改进薄板的可复制性和轮廓。在一个改进形式中，借助于印刷法来施加基本材料和包含在所述基本材料中的转换材料。在此，将基本材料连同包含在所述基本材料中的转换材料通过模板按压，以至于基本材料基本上接收模板的结构。通过相应地最优化地设计模板的结构，例如形状和大小，能够因此影响、尤其是确定转换薄板的形状。在一个改进形式中，模板具有至少一个穿透口，将基本材料连同包含在所述基本材料中的转换材料穿过所述穿透口压紧到衬底上。在此，穿透口的形状确定待制造的转换薄板的形状。在一个改进形式中，模板具有印刷侧和支承侧。在此，支承侧朝向衬底，印刷侧背离衬底。在一个改进形式中，印刷侧具有镍组织结构。通过镍组织结构能够有利地确保所印刷的薄板的平面性。因此，能够有利地产生转换薄板的平面结构。此外，镍组织结构能够使待印刷的结构最优化，由此，模板能够有利地有助于改进棱边质量和薄板尺寸的可复制性。在一个改进形式中，将基本材料连同包含在所述基本材料中的转换材料施加在印刷侧上并且随后通过模板借助于印刷刮板压紧到衬底上。因此，基本材料被施加在模板的背离衬底的侧上并且借助于压力按压穿过模板的穿透口，以至于基本材料在印刷过程之后设置在模板的穿透口中。印刷侧优选在印刷法之后绝大部分不具有基本材料。在一个改进形式中，通过在支承侧上的穿透口的形状来确定转换薄板的形状。在此，穿透口能够在竖直方向上、即在垂直于衬底的方向上具有不同的伸展和形状。在此，转换薄板的形状由支承侧上的穿透口的形状来确定。在一个改进形式中，在印刷侧上的穿透口具有网格结构。网格结构有利地提高了模板的稳定性。因此，穿透口在这种情况下具有竖直叠置的两个区域，其中朝向衬底的区域复制待制造的转换薄板的形状，并且背离衬底的区域为了稳定模板而具有网格结构。模板虽然是双层结构，但是仍优选仅由一种材料制成，优选为镍。在一个改进形式中，为了施加基本材料将模板设置成与衬底直接接触。因此，在印刷过程期间在模板和衬底之间不存在间距。在此，在印刷过程期间将基本材料按压到穿透口中直至衬底，使得基本材料优选在印刷过程之后完全地填满穿透口。因此，在印刷过程之后，穿透口的高度相应于例如设置在所述穿透口中的基本材料的高度。在印刷过程之后，将模板从衬底拆开，使得在模板上仅留有基本材料和包含在所述基本材料中的转换材料。在一个改进形式中，将转换薄板制造成具有在60 μ m和170 μ m之间的厚度，包括边界值。这种厚度例如不能够在传统应用的丝网印刷法中实现。由于增加的层厚，能够有利地为光转换实现大的转换材料体积。因此，有利地提高了控制宽光谱的色坐标的可能性。通过增加的薄板厚度，也能够实现使用下述转换材料，所述转换材料的需要量在转换薄板较薄的情况下通常超出薄板中的固体负荷的极限。这些其他的转换材料能够在其效率、耐高温性和持久稳定性方面具有特别匹配的特性。在一个改进形式中，以同一方法制造多个转换薄板，将所述多个转换薄板在同一个方法步骤中借助于印刷法施加到衬底上。对此，模板优选具有多个穿透口，分别通过所述多个穿透口来确定转换薄板的形状。在此，在制造方法中将基本材料在模板的印刷侧上设置在所有穿透口之上并且随后借助于印刷刮板按压穿过所有穿透口，以至于穿透口优选完全被基本材料填充。随后，将模板从衬底取走，其中因此在衬底上制成多个转换薄板，所述多个转换薄板在其构造方面相应于模板的结构。模板例如具有在80μπι和150μπι之间的厚度。优选地，模板具有在100 μ m和IlOum之间的厚度。在模板的背离衬底的侧上能够设置有夹紧模板的框架。衬底有利地是薄膜衬底，所述薄膜衬底设置在卡盘、即夹紧装置上。衬底以及所制成的转换薄板优选不具有发射辐射的半导体器件。换言之，没有将转换薄板直接施加在半导体器件上或者直接在其上生产。转换薄板设计成在完成制造之后才安装在半导体器件上，例如粘贴在半导体器件上。借助于上述方法制成的转换薄板尤其适用于发射辐射的半导体器件。转换薄板具有基本材料和嵌在所述基本材料中的转换材料，其中转换薄板的厚度位于60 μ m和170 μ m之间的范围中，其中包括边界值。优选地,薄板的层厚位于90 μ m和110 μ m之间的范围中。优选地，模板在印刷侧上具有镍组织结构。由于在制造方法中应用的具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.22 DE 102010049312.01.用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板(4)的方法，在所述方法中，将基本材料(3)连同包含在所述基本材料中的转换材料借助于双层模板(I)施加到衬底⑵上。2.根据权利要求1所述的方法，其中， 借助于印刷法来施加所述基本材料(3 )连同包含在所述基本材料中的转换材料。3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中， 所述模板(I)具有至少一个穿透口(10)，将所述基本材料(3)连同包含在所述基本材料中的转换材料穿过所述穿透口压紧到所述衬底(2)上。4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中， 所述模板(I)具有印刷侧(15)和支承侧(14)。5.根据权利要求4所述的方法，其中， 所述印刷侧(15)具有镍组织结构。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中， 将所述基本材料(3)连同包含在所述基本材料中的转换材料施加在所述印刷侧(15)上并且随后借助于印刷刮板(7)穿过所述模板(I)压紧到所述衬底(2)上。7.根据上述权利要求4至6中与权利要求3相关的任一项所述的方法，其中， 通过在所述支承侧(14)上的所述穿透口( 10)的形状来确定所述转换薄板(4)的形状。8.根据上述权利要求4至7中与权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·里希特，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：