光电子半导体器件制造技术

提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有：-载体膜（1），所述载体膜具有第一表面（11）和与第一表面（11）相对置的第二表面（12）；-至少一个导电的接触层（2），所述接触层设置在第一表面（11）上，局部地覆盖第一表面（11）并且包含至少一种金属；-至少一个发射辐射的光电子半导体组件（3），所述光电子半导体组件设置在导电的接触层（2）的背离载体膜（1）的外部面（21）上，其中，-发射辐射的光电子半导体组件（3）导电地与所述至少一个导电的接触层（2）连接，-载体膜（1）由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且，-聚合物的至少一个单体形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
提出一种光电子半导体器件以及一种具有这种光电子半导体器件的信号灯。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件可柔性地使用，并且其中避免了在光电子半导体器件运行期间器件上的材料损伤。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个载体膜(英语carrier foil )，其中载体膜具有第一表面和与第一表面相对置的第二表面。载体膜能够是机械稳定的载体，在载体的第一和/或第二表面上能够设置和固定半导体器件的组件。换言之，能够获得下述载体膜，所述载体膜是自承载式的并且是用于组件的稳定的安装基底和/或承载基底。这能够意味着，载体膜自身在半导体器件中不需要其它的固定措施和稳固措施。例如，载体膜是柔性的，例如可卷起和/或展开。优选地，载体膜在其卷起或弯曲的区域中既不具有断裂处也不具有凹凸处等。第一表面和第二表面是载体膜的外部面的部分。在此，第二表面在载体膜的安装状态下能够朝向接触载体，例如朝向电路板。例如，第二表面是安装面，所述安装面能够用于将光电子半导体器件安装在接触载体上。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个导电的接触层，所述接触层设置在第一表面上，局部地覆盖第一表面并且包含至少一种金属。这能够意味着，导电的接触层直接地施加到载体膜的第一表面上并且在这些部位上与第一表面直接地接触。在此，导电的接触层能够由彼此分离并且彼此电绝缘的多个单个部段形成。例如，所述单个部段通过载体膜而彼此电绝缘。根据至少一个实施形式，至少一个其它的导电的接触层至少局部地覆盖载体膜的第二表面。在这种情况下，在器件的侧向剖面图中，载体膜设置在这两个接触层之间。例如，导电的接触层的材料和所述其它的导电的接触层的材料是相同的。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个发射辐射的光电子半导体组件，所述光电子半导体组件设置在导电的接触层的背离载体膜的外部面上。例如，发射辐射的光电子半导体组件是发射辐射的半导体芯片。例如，半导体芯片是发光二极管芯片。发光二极管芯片能够是照明二极管芯片或激光二极管芯片。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，发射辐射的光电子半导体组件导电地与至少一个导电的接触层连接。为此，例如能够将发射辐射的光电子半导体组件直接地施加到、例如粘贴到导电的接触层的背离载体膜的外部面上。导电的接触层用于电接触发射辐射的光电子半导体组件。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，载体膜由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，其中所述聚合物的至少一个单体形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。也就是说，所述聚合物的至少一个单体的至少一个氟原子是化学基本元素并且不仅是所述单体的可选的、可取代的化学添加元素。例如，用于构成聚合物的氟包含在聚合物的每个单体中。对于聚合物是共聚物的情况，也能够形成具有至少一个C-F键的聚合物单体类型的仅一个或多个单体。换言之，氟用于构成聚合链，所述聚合链形成载体膜的材料。根据至少一个实施形式，光电子半导体器件包括载体膜，所述载体膜具有第一表面和与第一表面相对置的第二表面。此外，光电子半导体器件包括至少一个导电的接触层，所述接触层设置在第一表面上，局部地覆盖第一表面并且包含至少一种金属。此外，光电子半导体器件包括至少一个发射辐射的光电子半导体组件，所述光电子半导体组件设置在导电的接触层的背离载体膜的外部面上，其中发射辐射的光电子半导体组件导电地与至少一个导电的接触层连接。载体膜由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，其中聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，并且C代表碳和F代表氟。在此，此处描述的光电子半导体器件此外基于下述知识:光电子半导体器件的设置有发射辐射的光电子半导体组件的载体元件能够通过由发射辐射的光电子半导体组件发射的电磁辐射而受到损坏。如果这种载体元件例如由环氧树脂形成，那么射到载体元件上的例如在波长小于460nm的波长范围中的电磁辐射能够导致载体元件中或载体元件处的腐蚀性的分解产物，所述腐蚀性的分解产物例如在光电子半导体器件运行期间能够导致载体处的、发射辐射的光电子半导体组件的焊接部位处的以及半导体组件自身处的损害。附加地，这种载体元件仅具有低的耐温性、耐辐射性和耐候性。例如在短的运行持续时间之后对于外部观察者而言，不仅载体元件、而且发射辐射的光电子半导体组件就已发黄和/或呈现褐色变色。·虽然能够例如通过将陶瓷的载体材料用于所述载体元件来避免这种腐蚀性的分解产物，当然陶瓷的载体材料仅示出有限的柔性特性并且此外是成本不太合适的。现在为了提出下述光电子半导体器件:其中避免了所述造成干扰的腐蚀性的分解产物，所述光电子半导体器件具有高的耐温性、耐辐射性和耐候性并且在此同时不仅是可柔性使用的而且在其制造中是成本合适的，那么在此描述的光电子半导体器件此外使用下述思想:提供载体膜，所述载体膜由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，其中聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。有利地，这种由氟形成的聚合物作为用于载体膜的材料在电磁辐射射入到其上时既不示出发黄也不示出造成干扰的褐色变色。也就是说，在由这种材料形成的载体膜中避免了造成干扰的腐蚀性的分解产物。此外，用于载体膜的所述材料示出柔性的机械特性。例如，载体膜根据光电子半导体器件的需求和应用能够卷起或者以可预设的方式弯曲。此外，这种材料在电磁辐射射入时示出低的气体排放率。此外，通过在此描述的载体膜，能够通过卷到卷(也称作reel-to-reel，卷对卷)实现尽可能成本合适的制造或者实现将半导体组件稳固安装在导电的接触层上。同时，对于半导体组件的脉冲运行能够实现快速的开关周期。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，发射辐射的光电子半导体组件在运行时产生电磁辐射，所述电磁辐射射到载体膜的第一表面上，其中第一表面由聚合物形成。载体膜具有竖直伸展。载体膜的外部面尤其通过第一表面和第二表面形成，其中在运行时电磁辐射主要射到载体膜的第一表面上。载体膜的主体、第一表面和第二表面在此构成外部面，并且至少通过相同的聚合物形成或者至少包含相同的聚合物。换言之，载体膜的外部面没有通过另一种尤其抗辐射的材料、例如金属膜而受到保护。也就是说，载体膜也在其外部面上包括聚合物，所述聚合物本身尤其对于蓝光和/或UV辐射是尤其抗辐射的。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，载体膜构成为是反射的并且尤其显现出白色。载体膜除聚合物之外例如还包括颗粒，所述颗粒此外能够对电磁福射起反射作用。颗粒在此至少局部地掺入聚合物，并且在载体膜中尤其均匀地分布。在本文中“均匀地”可以理解为，在载体膜之内没有出现颗粒的局部聚集。换言之，颗粒均布地通过载体膜分布。颗粒例如至少由下述材料中的一种组成或者包含下述材料中的一种:Ti02、BaS04、Zn0、Alx0y、Zr02。其中ZrO2对于蓝光具有尤其小的吸收特性，也就是非常好的反射特性。此外，载体膜尤其显现出白色。特别地，载体膜在光电子半导体器件的整个使用寿命期间显现出白色，因为所述载体膜是尤其耐温、耐辐射和耐候的，并且在运行时不改变其颜色。特别地，载体膜可抵抗在小于460nm的波长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.19 DE 102010051959.61.光电子半导体器件(100)，具有: -至少一个载体膜(I )，所述载体膜具有第一表面(11)和与所述第一表面(11)相对置的第二表面(12)； -至少一个导电的接触层(2 )，所述导电的接触层设置在所述第一表面(11)上、局部地覆盖所述第一表面(11)并且包含至少一种金属； -至少一个发射辐射的光电子半导体组件(3)，所述光电子半导体组件设置在所述导电的接触层(2)的背离所述载体膜(I)的外部面(21)上，其中 -所述发射辐射的光电子半导体组件(3)导电地与所述至少一个导电的接触层(2)连接， -所述载体膜(I)由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且 -所述聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(100)， 其中由所述发射辐射的光电子半导体组件(3)在运行中产生的电磁辐射射到所述载体膜(I)的所述第一表面(11)上，其中所述第一表面(11)由所述聚合物形成。3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)， 其中所述载体膜(I)构成为是反射的并且尤其显现出白色。4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)， 其中所述聚合物由下述材料中的至少一种形成或者包含下述材料中的至少一种:聚四氟乙烯、全氟丙烯、全氟 烷基乙烯基醚、聚三氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯。5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)， 其中所述载体膜(I)具有至多500 μ m的层厚度(Dl)。6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)， 其中所述导电的接触层(2 )由下述材料中的至少一种形成或者包含下述材料中的至少一种:Cu、Ag、Au、N1、Pt、Pd。7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)， 其中所述导电的接触层(2)的厚度(D2)至多为所述载体膜(I)的厚度(D1)。8.根据上述权利要求之一所述的光电子半...

【专利技术属性】
技术研发人员：克劳斯·赫恩，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：