提出一种光电子器件，所述光电子器件具有载体（3）以及发射辐射的半导体芯片（4），所述载体具有第一连接区域（1）和第二连接区域（2），所述半导体芯片具有基面（5）和与基面对置的辐射出射面（6），其中半导体芯片（4）以基面（5）设置在载体（...

一种用于发射混合光的光电子装置，包括：-带有第一发光二极管（11）的第一半导体光源（1），所述第一半导体光源在工作时以第一强度发射第一波长范围中的光，其中所述第一波长范围和/或第一强度具有第一温度相关性，-带有第二发光二极管（21、22...

本发明提出一种用于制造光电子半导体器件的方法，其中避免后续的光电子半导体器件的电接触部与填充材料的杂质颗粒接触。

在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于将转换介质（3）施加到光电子半导体芯片（2）上。所述方法包括下述步骤：提供光电子半导体芯片（2）；提供所述转换介质（3），其中所述转换介质（2）安置在载体（4）上；设置所述转换介质（3），使得其具...

详述了一种发光二极管芯片，其包括n导电区（1）、p导电区（2）、处于n导电区（1）与p导电区（2）之间的有源区（3）、处于p导电区（2）的远离有源区（3）的那侧处的镜面层（4）、以及被形成为具有电绝缘材料的绝缘层（5），其中镜面层（4）...

一种光源装置（100）具有：光源（200）；与光源（200）耦合的、用于输送输入电压的输入端子（108）；与光源（200）耦合的、用于提供输出电压的输出端子（108）；第一桥接端子（114）和第二桥接端子（114）；和与光源（200）耦...

在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件具有一个光电子半导体芯片（2）。此外，半导体器件（1）包括至少一个散射体（34），所述散射体包含辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入其中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4）。散射...

提出一种发光二极管芯片，其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括产生辐射的有源区域（13）；用于电接触有源区域的至少两个接触部位（2a，2b）；载体（3），以及-连接机构（4），所述连接机构设置在载体（3）和半导体本体（1）之间，其...

一种包括具有由式A3-xB5O12:Dx表示的组成的石榴石并且包括含钡氧化物的材料。在石榴石A3-xB5O12:Dx中，A选自镥、钇、钆、铽、钪、另一稀土金属或其混合物。B选自铝、钪、镓、铟、硼或其混合物。D为选自铬、锰和稀土金属中的至...

本发明提出一种聚合物复合材料，所述聚合物复合材料是用于含硫化合物的阻透物。此外提出聚合物复合材料的应用以及一种包含所述聚合物复合材料的光电子器件。

本发明提出一种发射辐射的器件（1），所述发射辐射的器件具有半导体芯片（2）和转换元件（3），所述半导体芯片具有带有设置为用于产生初级辐射的有源区域（23）的半导体本体（20），所述转换元件（3）设置为用于至少部分地转换初级辐射。转换元件...

提出一种具有在衬底（1）上的、由氮化合物半导体材料制成的半导体层序列（2）的半导体器件，其中衬底（1）具有朝向半导体层序列（2）的硅表面，并且半导体层序列（2）具有有源区域（21）并且在衬底（1）和有源区域（21）之间具有由氧掺杂的Al...

提出一种光电子半导体芯片（1），所述光电子半导体芯片具有载体（5）和带有半导体层序列的、设置在载体（5）上的半导体本体（2），其中在具有半导体层序列的半导体本体（2）中形成发射区域（23）和检测区域（24）。半导体层序列包括有源区域（2...

本发明提出一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法，所述方法具有下述步骤：a）提供载体（1），所述载体具有上侧（12）、与所述载体（1）的所述上侧（12）相对置的下侧（11）、以及在横向方向（L）上并排设置在所述上侧（12）上的多个连...

本发明提出一种用于制造由发光转换层（1）和散射层（2）组成的层复合物（3）的方法，其中应用具有第一压制工具（11）和第二压制工具（12）的模压设备（10）。在该方法中，在第一压制工具（11）和第二压制工具（12）之间插入载体薄膜（8），...

本发明提出一种用于制造光电子半导体组件的方法，其具有下述步骤：将具有pn结（104）的半导体层堆叠（101）设置在衬底（100）上，将半导体层堆叠（101）横向地结构化成第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的多个对，所述第一半导体...

本发明提出一种具有第一光电子器件和第二器件的光电子装置和用于制造所述光电子装置的方法。光电子器件包括：第一基板，在第一基板上设置有有源区和第一接触区域；以及设置在第一接触区域中的第一接触层。第二器件包括第二基板（20），在所述第二基板上...

本发明涉及一种光电子器件（1），其用于特别是在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。所述光电子器件（1）包括载体（2）。在所述载体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3），所述第一半导体芯片（3）具有第一辐射出射面（13），以用于发射在第一...

提出一种半导体器件（1），所述半导体器件具有至少一个光电子半导体芯片（2）和带有连接面（53）的连接载体（5），半导体芯片（2）设置在所述连接面上。在连接载体（5）上构成反射层（4）和限界结构（3），其中所述限界结构（3）在横向方向上至...

提出一种具有半导体本体（1）的发射辐射的器件，所述器件设置用于从其前侧（4）发射电磁辐射。此外，器件包括反射光学元件（6）和折射光学元件（12），其中所述反射光学元件（6）设置用于将由半导体本体（1）发射的辐射中直接射到反射光学元件（6...