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欧司朗光电半导体有限公司专利技术
欧司朗光电半导体有限公司共有722项专利
具有保护二极管结构的薄膜半导体器件和用于制造薄膜半导体器件的方法技术
本发明提出一种薄膜半导体器件(1),其具有支承体(5)和带有半导体层序列的半导体本体(2),所述半导体层序列包括设置用于产生辐射的有源区域(20)。半导体本体(2)可以借助第一接触部(31)和第二接触部(32)从外部接触。支承体(5)具...
具有均匀亮度的光电子装置制造方法及图纸
本公开描述了一种具有第一馈电部(206)和第二馈电部(212)的电光电子装置。第二馈电部(212)耦合到第一电端子(104)上。在第一馈电部(206)和第二馈电部(212)之间设有用于发射辐射的功能层(208)。第二馈电部(212)具有...
用于制造光电子半导体构件的壳体的方法、壳体和光电子半导体构件技术
提出了一种用于制造光电子半导体构件(3)的壳体(100)的方法,其中借助壳体材料(2)局部地包封预制的反射器部件(1)。还提出了一种壳体(100)和一种光电子半导体构件。
光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术
提出一种光电子器件,其具有:带有有源区(3)的至少一个无机光电子有源半导体器件(10),所述有源区适于在运行时辐射光或者接收光;和在至少一个表面区域(7)上的借助于原子层沉积所施加的灌封材料(6),所述灌封材料气密密封地覆盖所述表面区域...
光电子半导体芯片制造技术
在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中,所述光电子半导体芯片包括具有有源层(3)的层序列(2)。此外,半导体芯片(1)包括光耦合输出层(4),所述光耦合输出层至少间接地施加在半导体层序列(2)的辐射穿透面(20)上。光耦合输出层(...
半导体激光器制造技术
提出了一种半导体激光器(1),所述半导体激光器具有:带有设置用于产生辐射的有源区域(20)的半导体本体(2);和桥状区域(3)。桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线(30),所述纵轴线以相对于半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线(25)沿...
光电子半导体构件制造技术
提出一种光电子半导体构件(100),其具有:具有辐射退耦面(6)的至少一个发射辐射的半导体芯片(3),在半导体芯片(3)中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射退耦面离开半导体芯片(3);至少一个转换元件(4),所述转换元件设置在半导体...
用于光电子构件的壳体和用于制造壳体的方法技术
说明了一种用于光电子器件(7)的壳体(1),所述壳体具有-壳体基体(2),其具有凹槽(4),-覆层(3),其至少在凹槽(4)的区域中至少局部地与壳体基体(2)连接并且与壳体基体(2)直接接触,其中-壳体基体(2)以第一塑料材料形成,-覆...
用于车辆天窗的发光装置以及用于车辆的天窗制造方法及图纸
本发明提供了一种用于车辆天窗(7)的发光装置(1)。发光装置包括具有至少一个光输入表面(4)的光导(2),以及多个发光二极管(5),这些发光二极管(5)被布置为使得发光二极管(5)的光经由光输入表面(4)在光导(2)中耦合。此外,本发明...
边发射半导体激光器制造技术
提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器,所述半导体本体具有波导区域(4),其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(...
光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术
一种光电子器件,具有带有连接区域(5)的支承体本体(3)。在支承体本体(3)上设有半导体芯片(7)。在半导体芯片(7)的背离支承体本体(3)的表面(8)上施加接触区域(10)。连接区域(5)经由无支承的传导结构(13)与接触区域(10)...
电泵浦的光电半导体芯片制造技术
在电泵浦的光电半导体芯片(1)的至少一个实施形式中,所述电泵浦的光电半导体芯片具有至少两个能产生辐射的量子阱(2),其中,能产生辐射的量子阱(2)包括InGaN或者由其组成。此外,光电半导体芯片(1)包括至少两个覆层(4),所述覆层包括...
有机电子装置和其制造方法制造方法及图纸
本发明的实施形式说明一种有机电子器件,具有-衬底(1),-第一电极(2),-第二电极(4),和-设置在第一和第二电极之间的传导电子的区域(3A、3B),所述传导电子的区域具有-有机基质材料和盐,所述盐包括金属阳离子和具有至少三价的阴离子...
光电子半导体芯片和用于匹配用于电接触光电子半导体芯片的接触结构的方法技术
一种光电子半导体芯片,包括具有第一端子(211)和第二端子(212)的第一半导体功能区域(21),以及导电地与第一半导体功能区域(21)连接的、用于电接触光电子半导体芯片的接触结构(4)。接触结构(4)具有可分开的导体结构(41、71、...
用于制造发光二极管的方法技术
提出了一种制造发光二极管的方法,其具有下述步骤:-提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1);-沿生长方向(R)在硅表面(1a)上沉积层序列(100),并且-将发光二极管结构(16)沉积到层序列(100)上,其中-层序列(100)包含以氮化...
用于摄影机的照明装置以及用于使其工作的方法制造方法及图纸
提出了一种用于摄影机的照明装置。所述照明装置包括发光半导体芯片(1),所述半导体芯片包括能够单个激励的多个发射区域(2A、2B、2B’)。所述照明装置又包括光学元件(15),所述光学元件构成用于将由所述发射区域(2A、2B、2B’)发射...
有机光电子器件及其制造方法技术
有机光电子器件,包括:第一电极(1)、设置在第一电极上的第一平面化层(2),设置在该平面化层上的第一注入层(3),设置在该注入层上的有机功能层(4),设置在有机功能层上的第二电极(5),其中当第一电极是正极时,对于能级适用:EF-EHO...
有机构件和用于制造其的方法技术
设置一种具有第一衬底(1)和第二衬底(2)的构件。在第一衬底(1)上设置至少一个光电子器件(4),所述光电子器件包括至少一种有机材料。第一衬底(1)和第二衬底(2)相对于彼此设置为使得将光电子器件(4)设置在第一衬底(1)和第二衬底(2...
具有补偿转换元件的发光二极管和相应的转换元件制造技术
提出一种发光二极管,其具有发光二极管芯片(1),其在工作时发射蓝光光谱范围中的初级辐射,以及转换元件(34),其吸收初级辐射的一部分并且再发射次级辐射,其中:转换元件(34)包括第一发光材料(3)和第二发光材料(4);第一发光材料(3)...
半导体照明设备制造技术
一种半导体照明设备包括:载体;安装在载体上的光电子半导体芯片,该半导体芯片发出紫外线或可见光辐射;照明设备壳体,其不在主发射度的方向上覆盖半导体芯片;光罩,其在主发射度的方向上放置在半导体芯片的下游;以及折射率匹配层,其位于半导体芯片和...
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