在用于制造光电子器件（１）的方法的至少一个实施形式中，包括以下步骤：提供支承体（２），在支承体（２）上施加至少一个第一金属层（１１），提供至少一个光学部件（３），将至少一个第二金属层（１２）施加在所述至少一个光学部件（３）上，以及将支承...

在本发明中描述了一种用于发射如下电磁辐射的发射辐射的装置：所述电磁辐射是第一波长范围、第二波长范围和第三波长范围的至少三个不同的部分辐射的混合。该发射辐射的装置在此包括衬底（１）、第一电极（２）和第二电极（６）、设置在第一电极和第二电极...

提出了一种光电子投影装置，其在工作中产生预先给定的图像（１０）。投影装置包括半导体本体（１），其具有适于产生电磁辐射的有源层（１０１）和辐射出射侧（１０２）。半导体本体（１）是投影装置的成像元件。为了电接触半导体本体（１），第一接触层（...

一种用于具有在第一和不同于其的第二波长范围中进行混合光辐射的光电子装置包括：具有第一或第二发光二极管（１１，２１）的第一或第二半导体光源（１，２），其在施加第一或第二电流（４１，４２）时辐射具有在第一或第二波长范围中的第一或第二特征波长...

本发明涉及一种用于制造光电子结构元件的方法，其具有步骤：Ａ）提供第一衬底（１），其具有有源区域（１２）和包围有源区域（１２）的第一连接区域（１１），其中在有源区域（１２）内构成有机功能层序列（３）；Ｂ）提供第二衬底（２），其具有覆盖区域...

本发明涉及一种发射辐射的装置，具有：衬底；第一电极和第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的发射器层。该发射器层在此包括基质材料，０．５～５重量％的发射辐射的发射器和５～３０重量％的发磷光的激子捕获器。激子捕获器的重量比例在此高于发...

提出了一种照明装置，其具有：带有凹进部（５）的基本体（１）；反射器（５１），其至少通过凹进部（５）的部分形成；设置在凹进部（５）中的至少一个光电子半导体部件（２０），其中半导体部件（２０）具有光学元件（３），该光学元件构建为将半导体部件...

在光电子半导体芯片（１）的至少一个实施形式中，其包括半导体层序列（２），该半导体层序列具有设置用于产生电磁辐射的至少一个有源层（３）。此外，光电子半导体芯片（１）具有至少间接地施加在半导体层序列（２）的辐射穿透面（２０）上的耦合输出结构...

本发明涉及利用稠合的环体系取代的噻咯在有机电子应用中的用途，还涉及利用稠合的环体系取代的特定噻咯及其在有机电子应用中的用途。

提出了一种发射辐射的半导体芯片（１），其具有支承体（５）和带有半导体层序列的半导体本体（２）。在带有半导体层序列的半导体本体（２）中形成发射区域（２３）和保护二极管区域（２４）。半导体层序列包括被设置用于产生辐射的有源区（２０），该有源...

提出了一种用于半导体芯片（６）的复合衬底（１）。复合衬底（１）包括：包含半导体材料的第一盖层（２）、第二盖层（４）和设置在第一盖层（２）和第二盖层（４）之间的芯层（３），其中芯层（３）具有比盖层（２，４）大的热膨胀系数。此外，提出了一种...

一种用于发射具有在第一波长范围和第二波长范围中的光的混合光的光电子装置尤其是包括：带有第一发光二极管（１１）的第一半导体光源（１），其在工作中发射具有第一强度的在第一波长范围中的光；带有第二发光二极管（２１）的第二半导体光源（２），其在...

提出了一种光电子器件（１），其具有：连接支承体（２），在其上设置有至少两个发射辐射的半导体芯片（３），转换元件（４），其固定在连接支承体（２）上，其中－转换元件（４）覆盖半导体芯片（３），使得半导体芯片（３）被转换元件（４）和连接支承体...

提出了一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：Ａ）构建带有至少一个被掺杂的功能层（７）的半导体层序列（２００），其具有带有至少一种掺杂材料和至少一种共同掺杂材料的连接复合体，其中选自掺杂材料和共同掺杂材料的一个是电子受主，并且...

提出了一种用于制造发射辐射的有机器件的方法，其包括以下步骤：Ａ）提供发射辐射的有机层序列（１０），该有机层序列具有适于在工作中发射电磁辐射的至少一个有机功能层（３）和透明层（１１），Ｂ）借助喷射将带有表面结构（２１）的透明的辐射耦合输出...

在用于制造发射辐射的薄膜器件（１）的方法的至少一个实施形式中，该方法具有以下步骤：－提供衬底（２），－在衬底（２）上生长纳米棒（３），－在纳米棒（３）上外延生长具有至少一个有源层（５）的半导体层序列（４），－在半导体层序列（４）上施加支...

提出了一种用于制造发射辐射的有机器件的方法，其中在器件的发射辐射的区域（４）中产生包含发射体材料的至少一个层（１０），其中层（１０）借助原子层沉积来制造并且具有最高２ｎｍ的厚度。

说明了一种发射辐射的有机器件，该发射辐射的有机器件尤其是包括第一电极（１），其具有用于电接触第一电极（１）的第一电接触区（１０），在该第一电极（１）上包括第一有机功能层（３１），在该第一有机功能层（３１）上包括至少一个有机有源区（４），...

提出了一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列（３），该半导体层序列包括ｎ掺杂区域（４）、ｐ掺杂区域（８）和设置在ｎ掺杂区域（４）和ｐ掺杂区域（８）之间的有源区（５）。ｐ掺杂区域（８）包括ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ构...

提出了一种光电子半导体本体，其具有半导体层序列（１）和第一电连接层（４），该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层（１００）。半导体本体设计用于从前侧（２）发射电磁辐射。半导体层序列（１）具有至少一个开口（１１０），其在从前侧（２）到...