提供一种光源，其包括：固定至第一和第二末端部件（２、３）的管（１），所述管（１）具有侧面区域（１０），其中所述侧面区域（１０）的一部分包括所述光源的光输出耦合表面（１１）；安装到所述第一末端部件（２）的至少一个发光二极管（４）和安装到所...

本发明提出了一种辐射接收器（１），其具有半导体本体（２），该半导体本体具有第一有源区（２１０）和第二有源区（２２０），第一有源区和第二有源区分别设计用于检测辐射。第一有源区（２１０）和第二有源区（２２０）在垂直方向上彼此间隔。在第一有源...

本发明提出了一种发光二极管芯片，其具有用于防止过压的装置，缩写为ＥＳＤ防护装置（２）。ＥＳＤ防护装置（２）集成在支承体（３）中，在该支承体上存在发光二极管芯片的半导体层序列（１），并且该ＥＳＤ防护装置基于支承体（３）的确定区域的特定的掺...

本发明涉及一种光电子器件（１，１２，１４，１７），具有：支承元件（２）；在支承元件（２）的第一侧上彼此相邻设置的至少两个元件（３），这些元件分别带有至少一个光学有源区（４）用于产生电磁辐射。所述光电子器件（１，１２，１４，１７）具有至少...

在光电子装置（１０）的至少一个实施形式中，该光电子装置具有光学元件（１）和适于产生电磁辐射（Ｒ）的光电子半导体芯片（２）。该光学元件（１）单件式地构建并且包含两个彼此对置的辐射穿透面（３４）。此外该光学元件（１）包括带有多个彼此邻接的透...

本发明涉及一种用于制造多个半导体芯片（１）的方法。在衬底（８）上提供多个半导体本体（２），其中所述半导体本体（２）通过间隙（２５）相互隔开。提供具有多个突起部（３５）的结构化载体（３３）。将所述结构化载体（３３）相对于所述衬底（８）定位...

一种光电子模块，具体包括连接载体（２）、布置于连接载体（２）上的光电子部件（３）、连接载体（２）布置于其上的冷却元件（９）、在所述连接载体（２）之上延伸的覆盖物（６）和用于控制光电子部件（３）的电（特别是电子）控制元件（８）。一种照明装...

本发明涉及一种光电子半导体本体，其具有基于氮化物化合物半导体的外延半导体层序列（２）。该半导体层序列具有：缓冲层（２１），其在名义上未掺杂或者至少部分ｎ导电掺杂；有源区（２４），其适于发射或者接收电磁辐射；以及设置在缓冲层和有源区之间的...

提出了一种发光二极管，其具有发射辐射的有源层（７）、ｎ接触部（１０）、ｐ接触部（９）和电流扩展层（４）。电流扩展层（４）设置在有源层（７）和ｎ接触部（１０）之间。此外，电流扩展层（４）具有多次重复的层序列，该层序列至少具有ｎ掺杂的层（４...

本发明涉及一种用于光电子器件的芯片装置，其带有至少一个发射电磁辐射的半导体芯片（１）和连接装置，其中连接装置（２）具有多个彼此电绝缘的平面（３，４）。

本发明提出一种用于制造光电子器件的方法，该光电子器件包括发射辐射的装置（１－５）和透镜（６）。此外，本发明还提出了带有发射辐射的装置（１－５）和透镜的光电子器件（６）。

一种光学器件，尤其是包括：带有第一主表面（２）和背离第一主表面（２）的第二主表面（３）的支承板（１），以及在第一主表面（２）上的第一透镜结构（４），其中第一透镜结构（４）至少具有第一透镜元件（４１）和第二透镜元件（４２），第一透镜元件（...

本发明涉及一种发光的平面元件及其制造方法，所述平面元件具有至少一个平面的导光元件、联接装置和产生光的元件。所述产生光的元件具有至少两个电联接端，所述电联接端与在所述联接装置上的相关联的联接线以导电的方式相连接。所述平面的导光元件以压力铸...

本发明涉及一种包括光电子器件（１）的装置，该光电子器件带有两个接触部（３ａ，３ｂ）和至少一个另外的部件（２），其中接片（６）设置在该光电子器件（１）和所述另外的部件（２）之间。根据构型，该接片（６）用于确定在安装时的位置，用于在安装时对...

本发明涉及一种薄膜发光二极管，其包括：势垒层（３），在势垒层（３）之后的第一镜层（２），在第一镜层（２）之后的层堆叠（５）和在层堆叠（５）之后的至少一个接触结构（６）。层堆叠（５）具有至少一个有源层（５ａ），所述有源层发射电磁辐射。接触...

本发明提出了一种半导体芯片，其具有接触层（６），该接触层对于许多常见的应用并不是最佳的。例如，该接触层过薄，以致不能在没有明显的退化的情况下承受针对半导体芯片设计的工作电流。此外，提出了一种光电子器件，半导体芯片可以集成在该器件中，使得...

本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区（２０），该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层（２１０，２２０，２３０）。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层（２１０），其被ｎ导电地掺杂并且...

本发明描述了一种发射辐射的半导体本体（１），其带有用于产生第一波长（λ１）的辐射的有源层（２）和再发射层（３），该再发射层（３）具有带有量子层结构（５）和势垒层结构（６）的量子阱结构（４）。再发射层设计用于借助第一波长的辐射在势垒层结构...

一种光电子器件包括：有机层序列（１），其在工作中发射具有第一波长谱的电磁辐射（１５）；以及介电的层序列（２）和在有机层序列（１）发射的电磁辐射（１５）的光路中的波长转换区域（３）。该波长转换区域（３）设计为将具有第一波长谱的电磁辐射至少...

本发明提出了一种光电子器件（１），其具有带有半导体层序列的半导体本体（２）。半导体本体（２）的半导体层序列具有设计用于产生泵浦辐射的泵浦区（３）和设计用于产生发射辐射的发射区（４）。泵浦区（３）和发射区（４）相叠地设置。泵浦辐射在光电子...