光电子器件制造技术

技术编号:5404915 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出了一种光电子器件(1),其具有带有半导体层序列的半导体本体(2)。半导体本体(2)的半导体层序列具有设计用于产生泵浦辐射的泵浦区(3)和设计用于产生发射辐射的发射区(4)。泵浦区(3)和发射区(4)相叠地设置。泵浦辐射在光电子器件(1)的工作中以光学方式泵浦发射区(4)。在光电子器件(1)的工作中,发射辐射在横向方向上从半导体本体(2)出射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件 本申请涉及一种光电子器件。在基于氮化物的化合物半导体的半导体激光二极管情况下,生成辐射的效率通常 随着增大的波长而降低。这使得生成绿色光谱范围中的辐射变得困难。因此,目前通常通 过如下方式来产生绿色激光辐射借助非线性光学晶体将红外光谱范围中的激光辐射频率 翻倍。这与比较大的校准开销以及安装开销关联。此外还有这种晶体的成本以及比较低的 转换效率。本专利技术的一个任务是,提出一种光电子器件,其发射辐射在如下光谱范围中该光 谱范围不能直接借助传统的半导体激光二极管覆盖。该任务通过权利要求1的主题来解决。有利的扩展方案和改进方案是从属权利要 求的主题。根据一个实施形式,光电子器件具有带有半导体层序列的半导体本体,其中该半 导体层序列具有设计用于产生泵浦辐射的泵浦区和设计用于产生发射辐射的发射区。泵浦 区和发射区相叠地设置。泵浦辐射在光电子器件的工作中以光学方式泵浦发射区。在光电 子器件的工作中,发射辐射在横向方向上从半导体本体出射。借助泵浦辐射,可以在发射区 中简化地产生辐射,该辐射的峰值波长在对于传统的半导体激光二极管难以达到的光谱范 围中。在发射区中产生的辐射优选是相干的。在光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子器件(1),其具有带有半导体层序列的半导体本体(2),其中-半导体本体(2)的半导体层序列具有设计用于产生泵浦辐射的泵浦区(3)和设计用于产生发射辐射的发射区(4);-泵浦区(3)和发射区(4)相叠地设置;-泵浦辐射在光电子器件(1)的工作中以光学方式泵浦发射区(4);以及-在光电子器件(1)的工作中,发射辐射在横向方向上从半导体本体(2)出射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:马蒂亚斯扎巴蒂尔彼得布里克克里斯托夫艾克勒
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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