【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利申请要求德国专利申请10 2007 057 242. 7和德国专利申请102008 021 618. 6的优先权，其公开内容通过引用结合于此。本专利技术涉及一种用于光电子器件的芯片装置，其具有至少一个发射电磁辐射的半 导体芯片和连接装置。目前，优选将所谓的半导体器件用作光源。发光二极管(LED)(也称作电致发光二 极管)在此是成本非常低廉的并且有效的光源。对于制造LED芯片的起始点是单晶的基本 材料。示例性地，在此提及了硅和锗。硅具有IV价硅原子，其中IV价元素具有四个外层电 子用于原子键合。通过该基本材料的掺杂将供体原子或者受体原子插入到基本材料的晶格中。由此 有针对性地改变了基本材料的特性，例如导电性。在例如n掺杂(其中n表示所引入的可 自由运动的负电荷)的情况下，V价元素(所谓的供体)被引入硅晶格中并且代替IV价硅 原子。V价元素具有五个外层电子可供原子键合使用，使得在结合至硅晶体中时受体的外层 电子可自由运动以供使用。在施加电压时，该电子可以做功。在受体原子的位置上形成位 置固定的正的键，可自由运动的电子的负电荷与该键相对。对于基本材料的n掺杂例如使 ...
【技术保护点】
一种用于光电子器件的芯片装置，具有至少一个发射电磁辐射的半导体芯片（１）和连接装置（２），其中：－连接装置（２）具有彼此电绝缘的平面（３，４），－在至少两个平面（３，４）中设置有至少两个被电绝缘的导体（９，１０），－至少一个平面（３，４）具有腔（６），－半导体芯片（１）设置在腔（６）内并且具有至少两个连接部位（７，８），－连接部位（７，８）的每一个分别与导体（９，１０）之一导电连接，以及－至少一个所述平面（４）是散热平面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2007-11-28 102007057242.7;DE 2008-4-30 10200802一种用于光电子器件的芯片装置，具有至少一个发射电磁辐射的半导体芯片(1)和连接装置(2)，其中-连接装置(2)具有彼此电绝缘的平面(3，4)，-在至少两个平面(3，4)中设置有至少两个被电绝缘的导体(9，10)，-至少一个平面(3，4)具有腔(6)，-半导体芯片(1)设置在腔(6)内并且具有至少两个连接部位(7，8)，-连接部位(7，8)的每一个分别与导体(9，10)之一导电连接，以及-至少一个所述平面(4)是散热平面。2.根据权利要求1所述的芯片装置，其中 -至少一个第二半导体芯片(1)设置在腔(6)内，-第二半导体芯片(1)同样具有至少两个连接部位(7，8)，-在两个平面(3，4)之一中设置有至少一个被电绝缘的第三导体(16)，_第二半导体芯片的连接部位(7，8)的每一个分别与导体(16，10)之一导电地连接。3.根据权利要求1所述的芯片装置，其中-至少一个第二半导体芯片(1)设置在腔(6)内；-第二半导体芯片(1)同样具有至少两个连接部位(7，8)，-在至少两个平面(3，4)中设置有至少两个被电绝缘的另外的导体，_第二半导体芯片的连接部位(7，8)的每一个分别与所述另外的导体之一导电地连接。4.根据权利要求2或3所述的芯片装置，其中散热平面被划分，各部分在空间上彼此分 离，使得对于每个半导体芯片(1)分别能够最优地散热。5.根据权利要求2或3所述的芯片装置，其中半导体芯片(1)在芯片装置内能够彼此 串联...
【专利技术属性】
技术研发人员：赫贝特布伦纳，斯特芬科勒，雷蒙德施瓦茨，斯特凡格勒奇，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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