在发光装置（１）的至少一个实施形式中，发光装置（１）包括至少一个光电子半导体器件（２），其在工作中以至少一个第一波长（Ｌ１）和至少一个第二波长（Ｌ２）发射电磁辐射，其中第一波长（Ｌ１）与第二波长（Ｌ２）彼此不同并且都在５００ｎｍ以下、尤...

本发明涉及一种有机电子元件，其包含基材（１）、第一电极（２）、第二电极（４），和设置成与至少一个电极导电连接的电子导电层（３），其中的电子导电层可以通过金属络合物与有机化合物一起蒸发来获得。

提出了一种光电子模块，其具有支承衬底（１）和多个发射辐射的半导体器件（２）。支承衬底（１）具有结构化的印制导线。发射辐射的半导体器件（２）分别具有适于产生电磁辐射的有源层（２ａ）、第一接触面（２１）和第二接触面（２２），其中第一接触面（...

提出了一种有机光电子器件（１０），具有：三维衬底本体（１），其具有封闭的衬底表面（１ａ）；发射辐射的层序列（２），其具有包含有机材料的至少一个层（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ），其中发射辐射的层序列（２）施加到封闭的衬底表面（１ａ）上并...

本发明涉及一种用于光电子构件的外壳（１）。所述外壳（１）包括外壳体（２）以及第一和第二电连接条（１１、１２），所述电连接条在外壳体（２）内部分地延伸，并且在第一侧面（４ａ）上从外壳体（２）中引出。在外壳体（２）外，两个连接条（１１、１２...

提出了一种用于制造发射辐射的有机器件的方法，所述方法尤其是包括以下方法步骤：Ａ）在衬底（１）上提供第一电极层（２），Ｂ）在第一电极层（２）上施加结构化的导电层（３），其中导电层（３）具有金属，Ｃ）通过金属的氧化在导电层（３）的背离第一电...

提出了一种光电子部件（１），其具有：用于部件（１）的电接触的至少两个连接部位（２），壳体本体（３），连接部位（２）局部地嵌在壳体本体（３）中，冷却体（４），冷却体（４）与至少一个连接部位（２）连接，其中壳体本体（３）以塑料材料构成，壳体...

提出了一种光电子器件（１），该光电子器件（１）具有：连接支承体（２），在连接支承体（２）上设置有发射辐射的半导体芯片（３）；转换元件（４），转换元件（４）固定在连接支承体（２）上，其中：转换元件（４）跨越半导体芯片（３），使得半导体芯片...

提出了一种半导体芯片，其具有：有源层（２），该有源层设计用于发射电磁辐射；以及结构单元（５）的二维布置，该二维布置在半导体芯片的主辐射方向（６）上设置在有源层之后。结构单元（５）以任意的统计分布设置。通过结构单元的这种布置，可以实现具有...

一种光电子器件包括：支承体（１）；设置在支承体上的金属镜层（２）；设置在金属镜层的区域上的第一钝化层（３）；用于产生电运行中的有源区的半导体层（４），其设置在第一钝化层上；第二钝化层（５），其包括两个区域（５ａ，５ｂ），其中第一区域（５...

提出了一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域（４）的半导体本体（１０），其中波导区域（４）具有设置在第一波导层（２Ａ）与第二波导层（２Ｂ）之间的用于产生激光辐射的有源层（３）。波导区域（４）设置在第一覆盖层（１Ａ）与第二覆盖层（１...

提出了一种光电子半导体器件，其具有：连接支承体（２）设置在连接支承体（２）的安装面（２２）上的光电子半导体芯片（１），以及围绕半导体芯片（１）的透射辐射的本体（３），其中透射辐射的本体（３）包含硅树脂，透射辐射的本体（３）具有至少一个侧...

本发明描述了一种光电子半导体芯片（１），其具有半导体层序列（２）和结构化的电流扩展层（６），其中该半导体层序列（２）具有用于产生电磁辐射的有源区（４），该结构化的电流扩展层（６）包含透明导电氧化物并且被设置在半导体层序列（２）的主面上，...

提出了一种发射辐射的装置，其具有：衬底（１０），在衬底（１０）上的至少一个有机功能层（１００），以及在所述至少一个有机功能层（１００）上的第二电极（８０）。衬底（１０）包括塑料膜（１）和金属箔（３），并且金属箔（３）设置在塑料膜（１）和...

本发明涉及一种用于封装光电子元件的方法，其中借助于大气压等离子体将扩散阻挡层（１２）淀积在光电子元件的表面的至少一个部分区域上，所述扩散阻挡层用于保护以免受环境影响。

本发明提出了一种光电子装置（１），其包括带有光学结构（４）的光学装置（３）以及带有接触结构（６）的发射辐射或者接收辐射的半导体芯片（２），光学结构（４）具有多个光学元件（４ａ），接触结构（６）具有用于电接触半导体芯片（２）的多个接触元件...

设计了一种带有至少一个导体装置（２）和半导体元件（３）的半导体装置，该半导体元件固定在导体装置上并且导电连接。焊接停止层（５）和封装材料（６）施加在导体装置（２）上，其中封装材料（６）遮盖半导体元件（３）并且至少部分地靠置在焊接停止层（...

公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层（４），该有源层被包覆层（３ａ，３ｂ）包围，其中包覆层（３ａ，３ｂ）和／或有源层（４）具有含铟的磷化物半导体材料并且磷化物半导体材料包含元素Ｓｂ或Ｂｉ中的至少一种作为第Ｖ主族的附加元...

公开了一种用于产生多个光电子半导体元件的方法。该方法包括形成多元件复合体（１８）以及将多元件复合体分离成单独的半导体元件（２０）。形成多元件复合体（１８）包括为具有芯片装配表面（１０１）的载体（１）提供多个芯片装配区域（２），每个芯片装...

一种发射辐射的器件(8)，其具有：带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射电磁辐射(R)；以及带有表面(68，70)的覆盖元件(62)，其中在覆盖元件(62)的第一区段(64)中在表面(68，70)上设置有吸收性的和...