【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的、带有相结构区域的边发射的 半导体激光器。本专利申请要求德国专利申请10 2008 025 922. 5的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
技术介绍
用于高输出功率的边发射的半导体激光器通常实施为宽条形激光器，其中有源区 具有大约ΙΟΟμπι或者更大的宽度。由于有源区的横向伸展比较大，所以在这种半导体激光 器的情况下通常有多个横向的激光模式起振。尤其是在高光功率情况下，会出现光功率的 不希望的强的调制，其也被称作丝状形成(Filamentierimg)。在边发射的半导体激光器情 况下，最大的输出功率密度通过半导体本体在侧棱面的区域中的熔融(其也称为COMD(灾 难性光学腔面损伤))而受到限制。由此，在具有强的丝状形成的半导体激光器情况下降低 了最大可能的输出功率。此外，边发射的半导体激光器的多模工作使得将所发射的激光耦 合输入到随后的光学元件中、尤其是光导体中变得困难。为了抑制较高的激光模式，尤其是为了实现在横向基模中的工作，由出版物WO 01/97349A1中公开了在边发射的半导体激光器的波导中构建相结构。相...
【技术保护点】
１．一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域（４）的半导体本体（１０），其中－波导区域（４）具有第一波导层（２Ａ）、第二波导层（２Ｂ）和设置在第一波导层（２Ａ）与第二波导层（２Ｂ）之间的用于产生激光辐射的有源层（３），－波导区域（４）设置在第一覆盖层（１Ａ）与第二覆盖层（１Ｂ）之间，该第二覆盖层在半导体本体（１０）的生长方向上跟随在波导区域（４）之后，以及－半导体本体（１０）具有主区域（５）和至少一个与主区域（５）在横向方向上相邻的相结构区域（６），在该相结构区域中构建有相结构，用于选择由有源层（３）所发射的激光辐射的横向模式，其特征在于，相结构区域（６）构建在波导区域（４）之外。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：沃尔夫冈·施密德，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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