【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体器件本专利技术涉及一种光电子半导体器件，尤其是LED，其具有包含铟的磷化物半导体材料或氮化物半导体材料。本专利申请要求德国专利申请10 2009 004 895. 2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。在用于通常基于InGaAlN或hGaAlP的光电子器件的半导体层的外延制造中，在优化的工艺条件下通常出现不期望的效果。在由InGaAlN构成的外延半导体层中可以形成富铟区域，所谓的簇。在簇的区域中形成可导致形成晶体缺陷的高的局部应力，其作为非发射复合的中心而降低LED的效率。即使只形成小的不致形成晶体缺陷的簇，通过由于在内簇(In-Cluster)的区域中局部载流子密度提高引起在光学有源层中的俄歇复合率提高，LED的效率也降低。曾确定的是通过使用高的生长温度，可降低形成富铟区域的趋势，然而由此也使铟嵌入到外延制造的层中劣化。在借助MOVPE (金属有机气相外延)外延制造IniUGaN半导体层的情况下，簇的形成也可通过超过800豪巴的较高反应器压力而减少。而这导致例如含NH3或有机金属化合物如TMGa、TMAl或TMh的工艺气体的不希望的预反应强烈增加， ...
【技术保护点】
１．一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层（４），所述有源层由包覆层（３ａ，３ｂ）包围，其中所述包覆层（３ａ，３ｂ）和／或有源层（４）具有含铟的磷化物半导体材料并且所述磷化物半导体材料包含元素Ｂｉ或Ｓｂ中的至少一种作为第Ｖ主族的附加元素。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·贝雷斯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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