发射辐射的器件制造技术

提出一种具有半导体本体（1）的发射辐射的器件，所述器件设置用于从其前侧（4）发射电磁辐射。此外，器件包括反射光学元件（6）和折射光学元件（12），其中所述反射光学元件（6）设置用于将由半导体本体（1）发射的辐射中直接射到反射光学元件（6）上的部分引导到目标区域（11）的外部区域（10）中，其中所述折射光学元件（12）设置用于将辐射的已反射的部分聚集到目标区域（11）的外部区域（10）中，并且将剩余的辐射部分聚集到目标区域（11）的内部区域（13）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发射辐射的器件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种发射辐射的器件，所述器件适合于按照预设的均匀性来照亮具有预设形状的目标区域。所述目的通过一种具有权利要求1的特征的发射辐射的器件来实现。有利的改进形式和实施形式在从属权利要求中说明。这种发射辐射的器件尤其包括-半导体本体，所述半导体本体设置成用于从其前侧发射电磁辐射，-反射光学元件，所述发射光学元件具有多个倾斜的、反射的侧面，所述侧面围绕半导体本体环绕地设置，和-折射光学元件，所述折射光学元件在半导体本体的放射方向上设置在反射光学元件的下游。根据一个实施形式，半导体本体设置成用于从其前侧发射电磁辐射，使得辐射的第一部分直接射到光学反射元件上且辐射的第二部分直接射到折射光学元件上，其中反射光学元件设置成用于将辐射的第一部分朝着要照亮的目标区域的 外部区域的方向转向，并且折射光学元件设置成用于将辐射的第一部分聚集到目标区域的外部区域中并且将辐射的第二部分聚集到辐射的内部区域中。折射光学元件优选地设置成，使得由半导体本体发射的辐射中的大部分穿过折射光学元件。例如，折射光学元件在半导体本体的放射方向上设置在半导体本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.15 DE 102010027212.41.发射辐射的器件，具有 -半导体本体(1)，所述半导体本体设置成用于从其前侧(4)发射电磁辐射， -反射光学元件(6)，所述反射光学元件具有多个倾斜的、反射的侧面，所述侧面围绕所述半导体本体环绕地设置，和 -折射光学元件(12)，所述折射光学元件在所述半导体本体的放射方向上设置在所述反射光学元件的下游。2.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件，其中所述反射光学元件的至少一个倾斜的侧面构成为是弯曲的。3.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中所述折射光学元件(12)的和/或所述反射光学元件(6)的形状匹配目标区域(11)的形状。4.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件，其中所述目标区域(11)通过矩形的面给出。5.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中菲涅尔透镜、双锥形透镜、环面透镜、具有根据X、I多项式的外面的透镜、平凸透镜、双凸透镜、透镜阵列或分段的透镜用作折射光学元件(12)。6.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的器件，其中所述折射光学元件(12)具有象限对称的形状。7.根据上述权利要求之...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌尔里希·施特雷佩尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：