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欧司朗光电半导体有限公司专利技术
欧司朗光电半导体有限公司共有722项专利
用于制造至少一个光电子半导体芯片的方法技术
提出一种用于制造至少一个光电子半导体芯片,其具有下述步骤:提供至少一个光电子结构(2),所述光电子结构包括生长载体(1)和外延沉积在生长载体(1)上的具有有源区域(23)的半导体层序列(20);提供载体(4);将至少一个光电子结构(2)...
用于制造光电子半导体芯片的方法技术
本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法,具有下述步骤:在外延设备中提供生长衬底(1);将至少一个中间层(2)外延地沉积到生长衬底(1)上;在中间层(2)的背离生长衬底(1)的一侧上产生背离生长衬底(1)的结构化的表面(3);将有源...
光电子半导体器件制造技术
在光电子半导体器件(1)的至少一个实施形式中,所述光电子半导体器件包括至少两个光电子半导体芯片(2),所述光电子半导体芯片位于共同的安装面(5)上。光学元件(3)沿着主放射方向(M)设置在半导体芯片(2)的下游并且与半导体芯片(2)隔开...
用于光电子结构的载体和具有这种载体的光电子半导体芯片制造技术
提出一种用于光电子结构(2)的载体(1),其中部分地将电绝缘的钝化材料(16)设置在载体(1)的导电层(14)和载体侧的连接剂层(15)之间。此外,提出一种具有所述载体以及光电子结构(2)的光电子半导体芯片,所述光电子结构借助于载体侧的...
用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体技术
本发明提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法,所述方法具有下述步骤:提供生长衬底(1);将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部(4)的半导体层(3)外延地生长到生长衬底(1)上;用半导体材料(6)填充凹部(4),使得产生棱锥形的耦合输出结构(...
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法技术
提出一种光电子半导体器件,所述光电子半导体器件具有在金属载体元件(3)上的光电子半导体层序列(2),所述金属载体元件具有银作为第一组分和下述材料作为第二组分,所述材料具有与银相比更小的热膨胀系数。此外,提出一种用于制造光电子半导体器件的...
照明设备制造技术
提出一种照明设备(10),其具有多级光学系统(1,2,3),所述多级光学系统使穿过的光(5,6)在光谱上和在空间上准直。照明设备尤其好地适合于用在显示设备中。
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法技术
提出一种具有半导体本体(2)和载体(7)的光电子半导体芯片(1),在所述载体上设置半导体本体,其中半导体本体具有有源区域(20),所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22...
具有第一LED芯片和第二LED芯片的LED照明设备及其制造方法技术
提出一种LED照明设备(10),所述LED照明设备具有第一LED芯片(1)和第二LED芯片(2),其中第一LED芯片(1)适合于发射具有第一辐射特性(A1)的辐射,并且第二LED芯片(2)适合于发射具有第二辐射特性(A2)的辐射。第一辐...
发出混合光的发光模块制造技术
提出一种用于发出混合光的发光模块,所述发光模块包括:至少一个第一半导体器件,所述第一半导体器件发出未转换的红光;至少一个第二半导体器件,所述第二半导体器件发出以第一转换比率被转换的绿白光;至少一个第三半导体器件,所述第三半导体器件发出以...
激光二极管装置制造方法及图纸
本发明涉及一种激光二极管装置,其具有:壳体(1),该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11),该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸;和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2),所述激光二...
激光二极管装置制造方法及图纸
本发明提出一种激光二极管装置,具有:壳体(1),其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11),装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸;以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2),激光二极管芯片在衬底(2...
用于制造多个半导体器件的方法技术
提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件(10)的方法,所述半导体器件分别具有至少一个半导体芯片(1)和转换小板(2)。为此,在晶片复合结构(10a)中提供多个分别适合于发射初级辐射的半导体芯片(1)。此外,在共同的载体(2a)上提供多...
用于制造电连接载体的方法技术
提出一种用于制造用于光电子半导体本体的电连接载体的方法,所述方法具有下述步骤:-提供载体装置(1),所述载体装置具有载体本体(11)、设置在载体本体(11)的外面(111)上的中间层(12)和设置在中间层(12)上的有效层(13);-将...
电子装置制造方法及图纸
提出了一种电子装置,包括:衬底、第一电极、至少一个有机功能层和第二电极。有机功能层包括第一基质材料(30W)、第二基质材料(30B)和第三基质材料(30A),其中第一基质材料(30N)具有比第二基质材料(30B)和第三基质材料(30A)...
用于制造发光转换材料层的方法、用于其的组合物以及包括这种发光转换材料层的器件技术
本发明的实施形式描述了一种用于在具有工作时发射初级辐射的半导体元件(10)的衬底(1)上制造发光转换材料层(20)的方法,所述方法包括以下方法步骤:(a)提供衬底(1);(b)提供包括发光转换材料(25)、基体材料和溶剂的组合物(21)...
发射辐射的有机电子装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明提出用于制造发射辐射的有机电子装置的方法并且提出借助所述方法制造的装置,其中所述有机电子装置具有第一电极层和第二电极层以及发射层,所述方法具有下述步骤:A)提供具有各向异性的分子结构的磷光发射体和基体材料,B)将第一电极层施加到衬...
有机发光器件和铜络合物在电荷运输层中的应用制造技术
一种有机发光器件(100),具有用于发射电磁辐射(114)的有源层(110)。所述有机发光器件还具有阳极(102)和设置在有源层(110)和阳极(102)之间的有机的电荷运输层(108)以用于从阳极(102)到有源层(110)中的载流子...
光电子器件和在电荷生成层序列中的铜络合物的应用制造技术
光电子器件(300,400,500)的不同的实施形式具有用于使第一载流子类型的载流子与第二载流子类型的载流子分离的有机的层结构(100)。有机的层结构(100)包括铜络合物,所述铜络合物具有至少一个配位体,所述配位体具有根据式(I)的化...
用于制造光电子器件的方法和光电子器件技术
在不同的实施例中提供用于制造光电子器件(200)的方法(900)。所述方法(900)能够具有:在第一电极层(204)上或上方形成(902)有机功能层结构(206);在有机功能层结构(206)上或上方形成(904)第二电极层(214);并...
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