在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于经由挤压制造使用在光电子半导体器件（10）中的硅膜（2）。所述方法包含下述步骤：将模具膜（1）引入压模（5）；将载体膜（3）引入压模（5），其中将所述载体膜（3）施加在衬底膜（4）上，并且所述衬底膜（4）在横向上突出于所述载体膜（3）；提供硅基质（20）并将其施加到所述模具膜（1）或载体膜（3）上；将硅基质（20）相对于在模具膜（1）和载体膜（3）之间的硅膜（2）挤压，其中所述硅基质在横向上在所述载体膜（3）旁边的重叠区域中与所述衬底膜（4）接触；从所述硅膜（2）处移除所述模具膜（1）；以及分离所述重叠区域（24）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术提出了一种用于制造硅膜的方法。此外，本专利技术还提出了一种硅膜以及一种具有这样的硅膜的光电子半导体器件。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出一种用于制造硅膜的方法，其中所述硅膜能够经由挤压来制造并且适于使用在光电子半导体器件中。根据所述方法的至少的一个实施方式，所述方法包括将模具膜和载体膜引入压模中的步骤。在这种情况下，模具膜设计为，至少部分地形状配合地填满成型模具的模腔。模具膜特别是一种模具脱模膜，英语是Mold Release Foil。因此，所述模具膜能够仿制模腔的一部分的和/或压模的限定模腔的半模的形状。在挤压期间，模具膜优选也能够仿制模腔的通过挤压过程而改变的形状。载体膜一英语是Carrier Foil——是与模具膜不同的膜，载体膜在挤压期间优选不变形或不显著变形。载体膜设计为，在挤压后支承借助所述方法制成的硅膜。例如，载体膜在压模中构造为平面的和平坦的。载体膜优选至少间接地贴靠在压模的平的半模上。载体膜尤其不仿形于模腔。根据所述方法的至少一个实施方式,将载体膜施加在衬底膜上。衬底膜优选具有与载体膜不同的材料并且位于载体膜的背离压模的模腔的侧上。根据所述方法的至少一个实施方式，载体膜和衬底膜以及模具膜都设计为，在卷对卷制程-英语Roll-to-Roll-Process-中使用。因此所提到的膜从一个或多个卷展开，引入压模中。紧接着所述膜中的至少一个再次被卷绕到其它卷上。可行的是，在压模中的所有膜在两个依次的挤压过程中完全地或者部分地被更换。根据所述方法的至少一个实施方式，衬底膜在横向方向上至少部分地突出于压模的模腔内的载体膜。所述衬底膜优选环形地或者框形地突出于载体膜，以至于载体膜在周围完全横向突出于衬底膜。横向尤其意味着沿着要通过所述方法制造的硅膜的主延伸方向。换句话说，在俯视图中看，载体膜部分地或者完全地被衬底膜围绕，特别是以均匀的宽度被衬底膜围绕。根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括提供硅基质并将其施加到模具膜和/或载体膜上的步骤。硅基质例如是至少一种聚硅烷，硅氧烷和/或聚硅氧烷。所述硅基质是用于硅膜的原料。所述硅基质在施加时存在不完全的硬化和/或不完全的交联。根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括将硅基质挤压成压模中的硅膜的形式的步骤。在这种情况下，所述硅膜构造在模具膜和载体膜之间。在此，硅基质以及硅膜优选与模具膜和载体膜都直接地物理接触。优选不存在与压模的直接接触。此外，硅基质和/或娃膜在横向上在载体膜的旁边的重叠区域中与衬底膜直接接触。对于娃膜的挤压通过关闭压模来进行。优选的是，所述挤压是模压成型，英语是Compression Molding。根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括从硅膜处移除模具膜的步骤。模具膜的移除在打开压模之后进行。在移除模具膜时，硅膜部分地或者完全地硬化。在移除模具膜之后，硅膜仍与载体膜直接接触，并且在横向上在所述载体膜的旁边与衬底膜直接接触。根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括分离重叠区域的步骤。例如切断或冲裁重叠区域。在分离重叠区域之后，硅膜优选仅与载体膜在物理上直接接触，并且不再与衬底膜或模具膜在物理上直接接触。在所述方法的至少一个实施方式中，所述方法用于制造用于使用在光电子半导体器件中的硅膜。硅膜的制造经由挤压，优选经由模压成型来实现。所述方法至少包括下述步骤:-将模具膜引入压模，-将载体膜引入压模中，其中将所述载体膜施加在衬底膜上，并且使所述衬底膜在压膜腔内在横向上至少部分地突出于载体膜，-提供硅基质并将其施加到模具膜或载体膜上，-将娃基质相对于在模具膜和载体膜之间的在压模中的娃膜挤压,其中所述娃基质在横向上在载体膜的旁边的至少一个重叠区域中与衬底膜接触，-从硅膜处移除模具膜，以及-分离重叠区域。各个方法步骤优选以指定的顺序实施。与此不同，各个方法步骤也能够以其它顺序实施。对模具膜而言，尤其对延展性、抗拉强度、模塑性以及表面特性提出特殊的要求。因此，用于模具膜的材料的选择受到很大的局限，尤其可能是这样的情况，即模具膜上的待制造的硅膜在挤压后具有相对强的粘附性。通过相对强地粘附在硅膜上的、在横向上突出于载体膜的衬底膜，能够确保，在移除模具膜时，已制成的硅膜留在衬底膜以及载体膜上。通过后续地移除硅膜与衬底膜的重叠区域，在俯视图上看，硅膜仅留在载体膜上。硅膜在载体膜上能够具有相对小的粘附性，以至于特别是借助后续的重新粘接步骤简化了对硅膜的再加工。根据所述方法的至少一个实施方式，与粘附在模具膜上相比，硅基质和/或硅膜更强地粘附在衬底膜上。此外，与粘附在载体膜上相比，硅基质和/或硅膜更强地粘附在模具膜上。粘附能力的度量特别是每单位面积的粘合力或者静摩擦。根据所述方法的至少一个实施方式，模具膜和/或载体膜的表面结构在挤压时被仿制在硅膜上。换句话说，硅膜在至少一个主侧上接收了模具膜和/或载体膜的表面结构。存在于载体膜的朝向硅膜的侧上的粗糙部和沟槽尤其传递到硅膜的主侧中的至少一个中。根据所述方法的至少一个实施方式，硅膜在仍关闭的压模中预硬化。硅膜的完全硬化在打开压模之后才进行。从硅膜处移除模具膜能够在硅膜完全硬化之前或之后进行。这同样适用于重叠区域的分离。根据所述方法的至少一个实施方式，硅材料在施加到载体膜或模具膜上之前被添加转换剂。所述转换剂优选以转换剂颗粒的形式存在，并且此外优选以均匀分布的方式与硅材料混合。所述转换剂设置为，至少部分地吸收在第一波长范围中的电磁辐射，并且将其转化为在与第一波长范围不同的第二波长范围中的辐射。转换剂颗粒例如设置为，吸收位于420nm至490nm之间的包括边界值的波长范围中的辐射，并且将其转化为更长波长的辐射。根据所述方法的至少一个实施方式，硅基质的粘度在施加到载体膜或模具膜上时相对大。相对大能够意味着，所述硅基质不会自动在模具膜或载体膜上流散。所述硅基质的粘度在施加时尤其为至少0.1Pa.s或至少1.0Pa.s或至少IOPa.s或至少20Pa.S。根据所述方法的至少一个实施方式，特别是在从压模中取出硅膜之后并且在分离重叠区域之后，硅膜被分割为多个硅片。分割为硅片例如经由切割或冲裁来进行。根据所述方法的至少一个实施方式，在压模中的硅膜的厚度——在整个硅膜上的厚度——以硅膜的平均厚度的至多15%波动。换句话说，硅膜的厚度是均匀的。所述波动尤其为平均厚度的至多10%或至多5%。因此对辐射的非常均匀的转换例如能够通过具有转换剂颗粒的、由硅膜制成的硅片来实现。此外，本专利技术还提出了一种硅膜。所述硅膜借助于如在上述实施方式中的至少一个中所说明的方法来制造。因此，硅膜的特征也对所述方法公开，并且反之亦然。在所述硅膜的至少一个实施方式中，所述硅膜包括基体材料，所述基体材料包含硅或由硅制成。在基体材料中以均匀分布的方式嵌入转换剂颗粒。均匀分布特别意味着，转换剂颗粒的浓度波动不超过纯粹统计学意义上的偏差。此外，所述硅膜具有两个彼此相对置的主侧。在一个主侧或两个主侧上构造有粗糙部，其中所述粗糙部至少在主侧中的一个上构造为沟槽状。换句话说，所述粗糙部具有沟槽状结构或者基本上由其构成。此外，硅膜的平均厚度为至少20 μ m和/或至多250 μ m,特别是至少40 μ m和/或至多160 μ m。根据所述硅膜的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.04 DE 102010047454.11.用于借助于挤压制造使用在光电子半导体器件(10)中的硅膜(2)的方法，具有下述步骤: -将模具膜(I)引入压模(5)中； -将载体膜(3 )引入所述压模(5 )中，其中所述载体膜(3 )施加在衬底膜(4 )上，并且所述衬底膜(4)至少部分地在横向上突出于所述压模(5)的模腔(50)内的所述载体膜(3)； -提供硅基质(20)并将其施加到所述模具膜(I)或所述载体膜(3)上； -将所述硅基质(20 )相对于在所述压模(5 )中的、在所述模具膜(I)和所述载体膜(3 )之间的所述硅膜(2)挤压，其中所述硅基质(20)在横向上在所述载体膜(3)的旁边的至少一个重叠区域(24)中与所述衬底膜(4)接触； -从所述硅膜(2 )处移除所述模具膜(I);以及 -分离所述重叠区域(24)。2.根据前一项权利要求所述的方法， 其中，与粘附在所述模具膜(I)上相比，所述硅基质(20 )和/或所述硅膜(2 )更强地粘附在所述衬底膜(4 )上，并且与粘附在所述载体膜(3 )上相比，所述硅基质(20 )和/或所述硅膜(2)更强地粘附在所述模具膜(I)上。3.根据上述权利要求之一所述的方法， 其中所述模具膜(1)的和/或所述载体膜(3)的表面结构造在挤压时被仿制在硅膜(2)上。4.根据上述权利要求之一所述的方法， 其中所述硅膜(2)在关闭所述压模(5)时预硬化，并且所述硅膜(2)的完全硬化在打开所述压模(5)之后才实现。5.根据上述权利要求之一所述的方法， 其中所述硅基质(20)在被施加到所述载体膜(3)或所述模具膜(I)上之前以均匀分布的方式被添加转换剂颗粒，其中所述转换剂颗粒设置为，至少部分地吸收在第一波长范围中的电磁辐射，并且将其转化为在与所述第一波长范围不同的第二波长范...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡·普雷乌斯，托比亚斯·格尔特尔，托马斯·席勒，汉斯克里斯托弗·加尔迈尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。