光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术

光电子器件的不同的实施形式具有光电子半导体芯片（104），所述光电子半导体芯片具有接触侧（106）和与接触侧（106）对置的辐射耦合输出侧（108）。光电子器件具有芯片载体（102），在所述芯片载体上将半导体芯片（104）施加在其接触侧（106）之上。辐射转换元件（110）施加在辐射耦合输出侧（108）上。此外，浇注料（112）施加在芯片载体（102）上，所述浇注料侧向地包围半导体芯片（104）和辐射转换元件（108）。浇注料（112）是反射的浇注料（112）。所述浇注料基本上与辐射转换元件（110）的上边缘齐平地邻接，使得辐射转换元件（110）的上侧没有浇注料（112）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
在光电子器件中根据期望的应用来对发射的辐射进行耦合输出。在此重要的是，是否由光电子器件放射出散射光或者辐射是否应当在一个方向上定向。在多种应用中重要的是，将辐射尽可能地在一个方向上聚焦地辐射。这例如在如汽车前照灯或者闪光灯的辐射器中是重要的。在将发射的辐射耦合输入到光波导(LWL)的情况下辐射的准确聚焦也是期望的，以便避免由于散射或者吸收引起的损失。
技术实现思路
本专利技术基于下述问题，提供一种光电子器件或者一种用于制造光电子器件的方 法，其中能够从光电子器件的耦合输出面中辐射出良好限界的光锥，使得辐射在优选的主方向上进行。所述问题通过一种根据权利要求I所述的光电子器件以及通过一种根据权利要求13所述的用于制造光电子器件的方法来实现。光电子器件的改进形式和其他的扩展方案在从属权利要求中说明。光电子器件的不同的实施形式具有光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有接触侧和与接触侧对置的辐射耦合输出侧。光电子器件具有芯片载体，将半导体芯片通过其接触侧施加在所述芯片载体上。辐射转换元件施加在半导体芯片的辐射耦合输出侧上。此外，浇注料施加在芯片载体上，所述浇注料侧向地包围半导体芯片和辐射转换元件。浇注料是反射的浇注料。所述浇注料基本上与辐射转换元件的上边缘齐平地邻接，使得辐射转换元件的上侧没有烧注料。半导体芯片和辐射转换元件侧向地完全被反射的浇注料包围。因此，光能够仅仅经由辐射转换元件的上侧离开半导体芯片。否则，半导体芯片和辐射转换元件侧向地被浇注料围住，而向下设有芯片载体，使得散射光由芯片载体和浇注料反射回半导体芯片或者辐射转换元件，在那里所述散射光然后能够经由辐射转换元件的上侧耦合输出。因此基本上预先设定辐射耦合输出的方向，所述方向垂直于辐射转换元件的上侧延伸。散射辐射被引回到辐射转换元件中，并且能够经由上侧耦合输出，使得整体上实现光电子器件的高效率。通过将半导体芯片和辐射转换元件侧向地由浇注料围住，不必此外还设置有另一壳体。通过浇注料充分地保护半导体芯片以及设置在接触侧上的例如为粘结剂和钎焊材料的连接元件免受环境影响、尤其免于与大气或者与空气湿气接触。另一优点通过在辐射转换元件的上侧和浇注料之间的齐平得出。光电子器件能够容易地耦联到例如光波导的光学元件处，因为所述光学元件向上具有完全平坦的表面。整体上，提出一种光电子器件，所述光电子器件具有在呈辐射转换元件上侧的形式的耦合输出面和呈浇注料形式的反射的、围边的区域之间的良好限界的过渡部，使得在工作时从光电子器件的耦合输出面中射出良好限界的光锥。光波导的耦合输入面能在空间上极其近地引至光电子器件的发光面处。换而言之，通过反射的浇注料提供侧向的反射器，所述反射器不仅包围半导体芯片而且还包围辐射转换元件。通过完整的侧向的覆盖将来自光电子器件中的辐射以受限制的空间角度在朝辐射转换元件表面的法向的方向上耦合输出。例如在芯片载体上由于吸收或者由于在侧向方向上的散射引起的损失被尽可能地降低。在不同的实施形式中，半导体芯片经由芯片载体电接触。在此，例如具有倒装芯片形式的半导体芯片在其接触侧上能够不仅具有P接触部还具有η接触部。因此，两个接触部能够直接地连接到芯片载体处。因此，优选提供下述光电子器件，其在辐射耦合输出侧上不具有接触部，使得不存在由于接触元件或者电接触部弓丨起的遮暗。在不同的实施形式中，半导体芯片经由其辐射耦合输出侧电接触，例如在下述发 光二极管中是这种情况，所述发光二极管在辐射耦合输出侧上设有例如η接触部的接触部。在不同的实施形式中，在辐射耦合输出侧上的电接触部经由导体连接部与芯片载体电接触，使得在封装光电子器件之后，连接接触部仅处于芯片载体处。在不同的实施形式中，将导体连接部嵌入在浇注料中，使得设有另一壳体或者保护元件以便保护导体连接部例如免受腐蚀不再是必需的。在不同的实施形式中，导体连接部具有键合线。因此，能够参照结合光电子器件已知的接触方法。在不同的实施形式中，键合线在辐射耦合输出侧之上的垂直延伸尺寸小于辐射转换元件在辐射耦合输出侧之上的高度。因此，键合线在任何情况下被浇注料覆盖，因为所述浇注料与辐射转换元件的上边缘齐平地邻接。在此也省去用于保护键合线的另一壳体的设置。此外，如此将光电子器件的构件高度保持得小。所述构件高度仅仅由芯片载体、半导体芯片和辐射转换元件的高度来确定。实现了光电子器件的明显的小型化，而不必利用例如穿通接触的特殊技术。在不同的实施形式中，键合线在辐射耦合输出侧之上的垂直延伸尺寸处于20 μ m至200 μ m的数量级,例如为40 μ m。在不同的实施形式中，浇注料是例如硅树脂或者环氧树脂的基体材料。在此，硅树脂的应用是尤其有利的，因为硅树脂能够容易地进行加工并且不会通过由半导体芯片所发射的辐射而破坏。在不同的实施形式中，浇注料具有散布的散射颗粒，所述散射颗粒使得浇注料为反射的浇注料。例如，散射颗粒具有二氧化钛。也能够考虑例如包含氧化铝的散射颗粒的其他散射颗粒。在不同的实施形式中，在辐射转换元件上设有例如透镜或者光波导的光学元件。所述光学元件能够极其容易地施加并固定到光电子器件的平坦的表面上。在用于制造光电子器件的方法的不同的实施形式中，通过喷射注入引入浇注料。在此，浇注料例如能够通过模压来引入。这尤其能够通过将浇注料通过设置在芯片载体中的开口引入来进行。附图说明光电子器件和用于制造这种光电子器件的方法的不同的实施例在下面根据附图来详细阐明。在附图中，附图标记的第一个数字表示其中首先使用该附图标记的附图。针对相同类型的或者起相同作用的元件或者特性在全部附图中使用相同的附图标记。其示出图I示出横贯光电子器件的第一实施例的示意横截面图；图2示出横贯光电子器件的第二实施例的示意横截面图；图3示出横贯光电子器件的第三实施例的示意横截面图；图4示出横贯光电子器件的第四实施例的示意横截面图； 图5a和图5b示出用于制造光电子器件的方法的第一实施例的示意图；并且图6a至图6d示出用于制造光电子器件的方法的第二实施例的示意图。具体实施例方式图I不出横贯光电子器件的第一实施例的不意横截面图。光电子器件100具有芯片载体102。在此，芯片载体能够是陶瓷载体或者半导体载体，在所述陶瓷载体或者半导体载体上施加有光电子半导体芯片104。光电子半导体芯片104为发光二极管或者发射或者吸收辐射的其他光电子元件。光电子半导体芯片104例如能够通过薄层方法来制造。所述光电子半导体芯片具有接触侧106，所述光电子半导体芯片借助所述接触侧施加在芯片载体102上，并且所述光电子半导体芯片在所述接触侧之上具有至少一个电子接触部。在此能够考虑的是，另一电子接触部也通过接触侧连接到芯片载体处。光电子半导体芯片104在与接触侧106相对置的一侧上具有辐射耦合输出侧108。在光电子半导体芯片104中产生的辐射经由辐射耦合输出侧108耦合输出。为了实现产生的辐射的尽可能有效的耦合输出，芯片载体102例如能够在接触侧106的区域中具有反射的表面。辐射转换元件110施加在辐射耦合输出侧108上。辐射转换元件110通常具有发磷光的材料，在所述发磷光的材料中至少部分吸收由光电子半导体芯片104发射的辐射。所述辐射在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫贝特·布伦纳，汉斯克里斯托弗·加尔迈尔，西蒙·耶雷比奇，斯特凡·普雷乌斯，汉斯约尔格·舍尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：