光电子半导体构件制造技术

在光电子半导体构件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体构件包括载体（2）以及至少一个光电子半导体芯片（3），所述半导体芯片施加在载体上侧（20）上。此外，半导体构件（1）包括至少一个接合线（4），经由所述接合线来电接触半导体芯片（3），以及包括至少一个覆盖体部（5），所述覆盖体部施加在辐射主侧（30）上，并且超出接合线（4）。至少一个反射的浇注块（6）在横向方向上包围半导体芯片（3），并且至少伸展到半导体芯片（3）的辐射主侧（30）。接合线（4）由反射的浇注块（6）或由反射的浇注块（6）连同覆盖体部（5）一起完全遮盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术提出一种光电子半导体构件。
技术介绍
在参考文献US 2006/0138621A1中提出一种光电子部件和一种基于该光电子部件的模块。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出一种具有高的光I禹合输出效率的光电子半导体构件。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，所述光电子半导体构件包括具有载·体上侧的载体。载体例如为电路板或印刷的电路板，缩写为PCB。在其上例如施加有电的带状导线的载体基本材料例如能够是如氧化铝或氮化铝的陶瓷。同样地，载体能够基于金属或能够是金属芯印刷电路板。此外，载体能够构成为所谓的方形扁平无引脚封装，缩写为QFN。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，所述光电子半导体构件包括一个或多个光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片施加在载体上侧上。半导体芯片具有背离载体上侧的辐射主侧。例如为可见的光的在半导体芯片中产生的电磁辐射，能够基本或完全经由辐射主侧离开。半导体芯片尤其是基于III-V族半导体材料的半导体芯片。例如，半导体芯片基于如AlnIrvnGaniN的氮化物化合物半导体材料，或基于如AlnIrvnGaniP的磷化物化合物半导体材料，其中相应地O彡η彡1、0彡m彡I并且n+m彡I。在此，所述材料能够具有一种或多种掺杂材料以及附加的组分。然而为了简单性，只对晶格的主要的组分进行说明，即Al、Ga、In、N或P，即使所述组分能够部分地由少量其他材料代替并且/或者补充也如此。优选地，光电子半导体芯片设计为，用于在半导体构件工作时产生例如在蓝色的、绿色的、黄色的和/或红色的光谱范围内的可见辐射。在至少一个有源区中产生辐射，所述有源区包含至少一个量子阱结构和/或至少一个Pn结。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，半导体芯片经由至少一个接合线，优选经由正好一个接合线来电接触。接合线在辐射主侧上与半导体芯片连接。特别地，接合线将在载体上侧的带状导线与在半导体芯片的辐射主侧上的电流扩散结构连接。半导体芯片的电接触部优选位于半导体芯片的彼此相对置的主侧上。根据半导体构件的至少一个实施形式，所述半导体构件具有至少一个覆盖体部，所述覆盖体部施加在半导体芯片的辐射主侧上。覆盖体部能够限制在辐射主侧上，或者也能够在横向方向上，即在平行于辐射主侧的方向上超出半导体芯片。此外，覆盖体部在远离载体上侧并且垂直于辐射主侧的方向上超出接合线。换言之，在垂直于辐射主侧的平面上的投影中，接合线能够完全地位于载体上侧和覆盖体部的背离载体上侧的体部上侧之间。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，所述光电子半导体构件具有至少一个反射的浇注块。浇注块在横向方向上局部地或完全地包围半导体芯片。从载体上侧看，浇注块例如在最高15 μ m或最高5 μ m公差的情况下至少伸展到辐射主侧。优选地，反射的浇注块在横向方向上至少局部地与半导体芯片非间接地、直接地接触。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，接合线完全由反射的浇注块遮盖，或替选地，完全由反射的浇注块连同覆盖体部一起遮盖。换言之，接合线在远离载体上侧的方向上，不从反射的浇注块中或不从反射的浇注块连同覆盖体部中伸出。接合线尤其不在任何部位上暴露。也就是说，在垂直于载体上侧并远离载体上侧的方向上，在接合线的每个分段上跟随有反射的浇注块的材料和/或覆盖体部的材料。 在光电子半导体构件的至少一个实施形式中，所述光电子半导体构件包括具有载体上侧的载体以及至少一个光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片施加在载体上侧上并且所述光电子半导体芯片具有背离载体上侧的辐射主侧。此外，半导体构件包括至少一个接合线以及至少一个覆盖体部，其中经由所述接合线来电接触半导体芯片，其中所述覆盖体部施加在辐射主侧上并且在远离载体上侧并垂直于辐射主侧的方向上超出接合线。至·少一个反射的浇注块在横向方向上包围半导体芯片，并且从载体上侧起看，至少伸展到半导体芯片的辐射主侧。在此，接合线完全由反射的浇注块遮盖，或完全由反射的浇注块连同覆盖体部一起遮盖。由于这种反射的浇注块，尤其仅能够在半导体芯片的辐射主侧上实现辐射发射。此外，能够在接合线上减少或避免阴影效果或不希望的反射，使得能够提高来自半导体构件的辐射耦合输出效率。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，接合线完全地嵌入反射的浇注块中。特别地，反射的浇注块形状接合地包围接合线并且与接合线直接接触。因此，接合线例如由反射的浇注块直接地包封。完全地嵌入能够意味着，接合线仅仅首先与反射的浇注块接触，并且/或者其次，与电的连接区域接触，接合线与所述电的连接区域导电地连接并且接合线接合到所述电的连接区域上，并且/或者第三，与电的连接机构接触，借助于所述连接机构将接合线固定在连接区域上。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，从载体上侧看，反射的浇注块伸展到覆盖体部的背离载体上侧的体部上侧。特别地，反射的浇注块在远离载体上侧的方向上在覆盖体部的横向边界面处与体部上侧齐平或在制造公差的范围内齐平。例如，制造公差最高为10 μ m。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，覆盖体部的体部上侧设有抗粘层。抗粘层对于反射的浇注块的材料而言构造为是不润湿的。抗粘层由例如聚卤烯烃、尤其由如聚四氟乙烯的含氟的化合物制成，或具有例如聚卤烯烃、尤其具有如聚四氟乙烯的含氟的化合物。优选地，对于直接在半导体芯片中产生的辐射和/或对于在覆盖体部中经由波长转换而产生的辐射而言抗粘层是透明的。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，反射的浇注体的背离载体上侧的浇注物上侧与覆盖体部的体部上侧齐平和/或平行地延伸。在垂直于体部上侧的方向上，关于齐平度和/或平行性的公差例如为最高30 μ m或最高10 μ m。在制造公差的范围内，浇注物上侧能够平行于载体上侧延伸。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，在俯视图中，载体上侧完全由反射的浇注块连同覆盖体部一起遮盖。换言之，在垂直于并且远离载体上侧的方向上，载体上侧的每个分段跟随有浇注块的材料或/和覆盖体部的材料。尤其地，载体上侧的每个分段跟随有浇注块的材料或者覆盖体部的材料。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，半导体芯片的辐射主侧具有电连接区域。电连接区域能够为所谓的接合焊盘。特别地，在连接区域中，将接合线与半导体芯片电地并且机械地连接。优选地，在辐射主侧上的半导体芯片刚好具有一个电连接区域。从连接区域出发，能够存在用于在辐射主侧上进行电流分布的结构，例如窄的、金属的接片。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，在辐射主侧上的电连接区域不具有覆盖体部。换言之，连接区域在远离载体上侧的方向上未跟随有覆盖体部的材料。连接区域优选也不接触覆盖体部。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，在辐射主侧上的电连接区域完全地或局部地由反射的浇注块覆盖。因此，在垂直于并且远离辐射主侧的方向上，连接区域的每 个分段跟随有反射的浇注块的材料。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，接合线在辐射主侧上的电的连接区域中在最高20°或最高10°的公差的情况下平行于辐射主侧和/或平行于载体上侧和/或平行于覆盖体部的体部上侧延伸。尤其优选地，接合线在围绕电的连接区域的附近区域中也平行于辐射主侧延伸。例如，附近区域具有相当于在辐射主侧上的电连接区域的平均直径最小两倍的或最小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·拉姆琴，大卫·拉奇，汉斯克里斯托弗·加尔迈尔，斯特凡·格勒奇，西蒙·耶雷比奇，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：