光电子器件制造技术

本发明专利技术提出一种光电子器件，其具有：电路板（1），所述电路板具有带有芯片连接区域（10）的上侧（1a）；光电子半导体芯片（2），所述光电子半导体芯片固定在芯片连接区域（10）上；壳体（3），所述壳体在电路板（1）的上侧（1a）处固定在电路板（1）上；以及反射区域（30），其中反射区域（30）包括在壳体（3）中的开口（31），在所述开口中设置有光电子半导体芯片（2），并且壳体（3）由塑料材料制成，所述塑料材料在反射区域（30）中至少局部地被金属化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件
本专利技术提出一种光电子器件。
技术介绍
文献W02004/077558A1说明了一种光电子器件。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出一种光电子器件，所述光电子器件是尤其紧凑的。根据光电子器件的至少一个实施形式，所述光电子器件包括电路板。所述电路板例如包括用电绝缘的材料制成的基体。带状导线和电连接部位在基体上和/或在基体中结构化，所述带状导线和电连接部位用于电接触光电子器件的施加到电路板上的组件。电路板例如包括用塑料材料制成的基体。在此，基体能够由塑料材料制成。电路板例如是一种印刷电路板(PCB-Printed Circuit Board)。电路板包括例如由电路板的第一主面构成的上侧。此外，电路板包括背离于上侧的下侧。电路板在其上侧处具有芯片连接区域。芯片连接区域例如为电路板的金属化区域， 在所述金属化区域上例如固定有光电子半导体芯片，并且能够将其导电地连接。在此，电路板在其上侧处也能够具有两个或多个同类地构造的芯片连接区域。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片固定在芯片连接区域上。光电子半导体芯片例如能够焊接或粘贴在芯片连接区域上。所述光电子半导体芯片例如为接收辐射的光电子半导体芯片或者为发射辐射的光电子半导体芯片。所述光电子半导体芯片例如为发光二极管芯片，所述发光二极管芯片在工作时适用于产生来自红外区域、用于可见光的光谱区域和/或UV辐射的光谱区域的电磁辐射。器件也能够包括两个或多个光电子半导体芯片，其中，每个光电子半导体芯片固定在芯片连接区域上。光电子半导体芯片优选为表面福射器。也就是说，光电子半导体芯片将发射的电磁辐射绝大部分地或完全地通过主面例如在光电子半导体芯片的上侧处发出。那么，通过光电子半导体芯片的侧面几乎或完全不发射电磁辐射。为此，光电子半导体芯片优选构成为薄膜发光二极管芯片。薄膜发光二极管芯片的特征优选在于下述特性特征中的至少一个-在产生辐射的尤其是外延层序列的半导体层序列的朝向特别是支承衬底的支承元件的主面上施加或构造有反射层，所述反射层将在半导体层序列中产生的电磁辐射中的至少一部分反射回所述半导体层序列中。-薄膜发光二极管芯片具有支承元件，所述支承元件不是外延生长有半导体层序列的生长衬底，而是事后固定在半导体层序列上的、单独的支承元件；-半导体层序列具有在20μπι或更小的范围内的、尤其在ΙΟμπι或更小的范围内的厚度。-半导体层序列不具有生长衬底。当前，“不具有生长衬底”意味着在必要时将用于生长的生长衬底从半导体层序列移除，或至少使其变得很薄。尤其是使其变薄到使得生长衬底自身或连同外延层序列一起不能单独自承。变得很薄的生长衬底的残留的剩余部分自身尤其不适于生长衬底的功能；以及-半导体层序列包括至少一个半导体层，所述半导体层具有至少一个面，所述面具有在理想情况下造成光在半导体层序列中的近似遍历分布的混合结构，也就是说，所述混合结构具有尽可能遍历地随机的散射特性。薄膜发光二极管芯片非常近似于朗伯特(Lambet’sch)表面辐射器，并且因此例如良好的适用于应用在前照灯、例如汽车前照灯中。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件包括壳体，所述壳体在电路板上的上侧处固定在电路板上。壳体例如能够借助于胶粘剂在电路板的上侧处固定在电路板上。此外，可能的是，将壳体不利用粘合剂固定在电路板上。为此，壳体例如能够借助于注塑法或压铸法喷射到或挤压到电路板的上侧处。例如能够在壳体的材料硬化时进行在壳体和电路板之间的机械连接。壳体具有反射区域。反射区域设计为用于反射由光电子半导体芯片在工作时产生的电磁辐射或反射待由光电子半导体芯片在工作时探测到的电磁辐射。根据光电子器件的至少一个实施形式，反射区域包括在壳体中的开口，在所述开口中设置有光电子半导体芯片。在此，开口优选从壳体的背离电路板的上侧延伸至壳体的朝向电路板的下侧。这意味着，在开口中，具有芯片连接区域的电路板露出。以这种方式， 壳体至少局部地围绕在开口的区域中的光电子半导体芯片。壳体的在开口中的朝向光电子半导体芯片的侧面形成反射区域的反射辐射的面，即反射面，并且为此例如能够适当地被覆层。如果器件具有两个或多个光电子半导体芯片，那么在开口中能够设置有两个或多个光电子半导体芯片。因此此外还可能的是，反射区域包括两个或多个开口，并且在每个开口中设置有刚好一个光电子半导体芯片。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子半导体芯片嵌入浇注料中，所述浇注料显现出白色、黑色或彩色，其中，光电子半导体芯片的背离芯片连接区域的表面至少局部不具有浇注料。浇注料尤其能够具有壳体的外表面的颜色。浇注料能够构造为可被辐射穿透的。浇注料例如构造为反射的。为此，浇注料例如能够包括由硅酮和/或环氧化物制成的基质材料，所述基质材料由反射颗粒、例如由氧化钛构成的反射颗粒填充。此外，可能的是，颗粒由ZrOjQ成或至少包含ZrO2。如果半导体芯片发射蓝光或紫外光，那么ZrO2在这类波长范围内具有特别小的吸收特性。换言之，在所述情况下，由浇注料反射更大部分的电磁辐射。总体上可能的是，反射辐射的颗粒至少由材料Ti02、BaS04、Zn0、Alx0y、Zr02中的一种构成或包含上述材料中的一种。因此，浇注料例如显现为白色。此外可能的是，用吸收辐射的颗粒，例如由炭黑构成的颗粒填充浇注料，以至于浇注料显现出黑色。光电子半导体芯片优选是表面发射器，所述表面发射器例如构成为薄膜发光二极管芯片。因此也就是说，光电子半导体芯片尤其不是体积发射器。也就是说，在这种情况下5几乎不产生穿过半导体芯片的侧面的电磁辐射。根据光电子器件的至少一个实施形式，壳体由塑料材料制成。塑料材料优选为特别热稳定的塑料材料，所述塑料材料优选为可熔化加工的。为此，壳体例如由聚苯硫醚 (PPS)构成。因此，电路板的基体能够由相同的塑料材料或由具有类似的热膨胀系数的塑料材料制成。根据光电子器件的至少一个实施形式，将壳体在反射区域中至少局部地金属化。 也就是说，基体的例如在壳体中的开口中的部分至少局部地由金属层覆盖。反射区域的反射面例如能够由壳体的金属化区域构成。那么，将壳体例如仅在反射区域的开口中金属化， 壳体的其他部分不具有金属化部。然而，还可能的是，将壳体的整个暴露的外表面金属化。 光电子器件的这样的实施形式可特别简单地制成。壳体的金属化部例如能够借助于热蒸发施加到壳体的塑料材料上。在此施加到壳体上的金属根据由光电子半导体芯片在工作时探测到的或发射的电磁辐射选择。例如，金适用于具有SOOnm或更长的波长的红外辐射。具有银或铝的金属化部尤其适用于可见范围。金属化部的金属优选直接施加到壳体上。在使用易于腐蚀和扩散的金属时，将钝化层在金属化部的背离壳体的侧上施加到金属部上，所述钝化层构造为可被辐射穿透的，并且优选构造为对于待反射的辐射是透明的。钝化层例如能够由氧化硅和/或氮化硅构成。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件包括具有带有芯片连接区域的上侧的电路板、固定在芯片连接区域上的光电子半导体芯片、在电路板的上侧处固定在电路板上的且具有反射区域的壳体，其中，反射区域包括在壳体中的开口，在所述开口中设置有光电子半导体芯片，并且壳体由塑料材料制成，所述塑料材料在反射区域中至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·欧布里安，梅尔廷·豪沙尔特，马库斯·弗尔斯特，弗兰克·默尔梅尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：