用于有机半导体器件的空穴导电层的掺杂材料及其应用制造技术

本发明专利技术涉及用于在有机电子器件中的空穴注入层的新型的金属有机物材料，其中所述有机电子器件尤其为如有机发光二极管（OLED）或者有机发光电化学池（OLEEC）或者有机场效应晶体管或者有机太阳能电池或者有机光检测器的发光器件。如尤其为有机发光二极管（图1）的有机电子器件的辉度（cd/m2）、效率（cd/A）和使用寿命（h）与在发光层中的激子密度和载流子注入质量极其相关，并且此外也通过所述激子密度和载流子注入质量来限制。本发明专利技术描述一种由二次平面单核过渡金属络合物制成的空穴注入层，例如铜2+-络合物，所述过渡金属络合物嵌入到空穴导电的基体中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在有机电子器件中的空穴注入层的新型的金属有机物材料，其中所述有机电子器件尤其为如有机发光二极管(OLED)或者有机发光电化学池(OLEEC)或者有机场效应晶体管或者有机太阳能电池或者有机光检测器的发光器件。
技术介绍
在参考文献中多次说明用于掺杂具有电子受主的有机金属以提高空穴导电层的导电性(例如 JAL G. He, O. Schneider, D. Qin, X. Zhou, M. Pfeiffer K. Leo, Journal ofApplied Physics 95,5773-5777(2004))。通过掺杂能够将材料的导电性提高一定数量级。 原则上存在用于空穴运输层的、尤其低成本的掺杂材料的其他需要。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种使用在空穴导电材料中的其他掺杂材料。因此，该目的的实现和本专利技术的主题是实现一种掺杂的空穴导电层以使用在有机电子器件中，所述空穴导电层至少包括空穴导电的基体和二次平面单核过渡金属络合物作为掺杂材料。此外，本专利技术的目的是提供这种空穴导电层的应用，以及最后提供一种有机电子器件。根据本专利技术的实施形式，掺杂材料是具有铜、钯、钼、钴、或者镍原子作为中心原子的二次平面单核过渡金属络合物。在此，每个下述络合物形式称作为二次平面的，所述络合物形式与根据晶体结构分析的四面体的络合物配置偏差大于通常的测量不精确性。在任何情况下都不限制围绕中心原子的配位体平面的布置。优选相对于空穴导电的基体具有相对低的LUMO (分子最低未占轨道)，因为所述化合物在基体中的特征在于更高的路易斯(Lewis)酸度。因此，在那里掺杂效果尤其显著。由于二次平面的特性，络合物在总式相同的情况下能够存在于其顺式或者反式。在一般情况下，尤其在小的取代基R的情况下同样良好地掺杂两种同分异构体。下面，仅仅讨论反式同分异构体来代表两种同分异构体。对于二次平面过渡金属络合物的总体种类的例举是具有铜2+作为中心原子的单核络合物的种类。为了建立化合物的二次平面特性，优选桥联的或者“二齿”的配位体，例如乙酰丙酮。当然，在铜作为中心原子的情况下比例如在钯作为中心原子的情况更重，因为所述作为中心原子的铜无论如何示出构成二次平面金属络合物的趋势。权利要求1.用于有机电子器件的空穴导电层，其中，包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，所述过渡金属络合物包含中心原子和配位体。2.根据权利要求I所述的空穴导电层，其中所述中心原子选自下述过渡金属Cu、Co、Ni,Pd,Pt03.根据上述权利要求之一所述的空穴导电层，其中所述配位体优选是二齿的配位体。4.根据上述权利要求之一所述的空穴导电层，其中所述配位体选自乙酰丙酮(acac)、三氟乙酰丙酮(tfac)、六氟乙酰丙酮(hfac)、双(6，6，7，7，8，8，8_七氟-2，2- 二甲基-3，5-辛二酮酸(fod)、双(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚二酮酸(dpm)。5.根据上述权利要求I至4之一所述的空穴导电层在有机电子器件中的应用。6.具有掺杂的空穴导电层的有机电子器件，其中掺杂材料包括为单核的且二次平面的过渡金属络合物。7.根据权利要求6所述的器件，所述器件是自发射的器件。全文摘要本专利技术涉及用于在有机电子器件中的空穴注入层的新型的金属有机物材料，其中所述有机电子器件尤其为如有机发光二极管(OLED)或者有机发光电化学池(OLEEC)或者有机场效应晶体管或者有机太阳能电池或者有机光检测器的发光器件。如尤其为有机发光二极管(附图说明图1)的有机电子器件的辉度(cd/m2)、效率(cd/A)和使用寿命(h)与在发光层中的激子密度和载流子注入质量极其相关，并且此外也通过所述激子密度和载流子注入质量来限制。本专利技术描述一种由二次平面单核过渡金属络合物制成的空穴注入层，例如铜2+-络合物，所述过渡金属络合物嵌入到空穴导电的基体中。文档编号C09K11/06GK102947414SQ201180018027 公开日2013年2月27日 申请日期2011年3月31日 优先权日2010年3月31日专利技术者大卫·哈特曼, 扎比内·希什科夫斯基, 安德烈亚斯·卡尼茨, 安娜·马尔滕贝格尔, 维布克·萨尔费特, 冈特·施密德, 扬·豪克·韦姆肯 申请人:欧司朗光电半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·哈特曼，扎比内·希什科夫斯基，安德烈亚斯·卡尼茨，安娜·马尔滕贝格尔，维布克·萨尔费特，冈特·施密德，扬·豪克·韦姆肯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：