用于分离衬底晶片的方法技术

在用于从半导体单晶体（100）分离半导体层的方法中，提供具有单一晶体结构的半导体单晶体（100）。通过借助于激光（106）的照射，将在所述半导体单晶体（100）中的分离面（104）内的晶体结构局部地改性到已改变的组织结构状态。通过选择性刻蚀移除已改性的分离面（104）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于从半导体单晶体分离半导体层的方法。
技术介绍
在半导体技术中常常需要薄的单晶半导体层。这例如在制备如发光二极管(LED)的光电子器件时是这种情况。LED例如通过薄膜法制造，其中在例如为蓝宝石玻璃的载体上沉积半导体的薄层。这通常通过半导体材料的外延生长而发生。这样施加的薄层也称作外延层。本领域的技术人员例如从文献[I]中已知对此的方法。例如为氮化镓(GaN)或砷化镓(GaAs)的半导体材料的沉积通过生长到具有其他结构常数的材料上而具有在得到的晶体结构的质量方面的限制。因此，在已生长的半导体材料中例如出现位错或缺陷。因此，常常首先在载体上施加缓冲层(buffer layer),所述缓冲层已经由所述外延层的半导体材料 构成。然而，已生长的缓冲层常常不具有连续的均匀的晶体结构。然而，在薄的半导体层中制造器件时，期望具有尽可能少的缺陷的晶体结构。在这方面也涉及良好的晶体质量。
技术实现思路
本专利技术基于下述问题，提供一种方法，借助所述方法能够产生具有良好晶体质量的薄的单晶半导体层。所述问题通过根据权利要求I所述的用于从半导体单晶体分离半导体层的方法来解决。在从属权利要求中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.22 DE 102010030358.51.用于从半导体单晶体(100)分离单晶的半导体层(116)的方法，包括-提供具有单一晶体结构的半导体单晶体(100)；-通过借助于激光(106)的照射，将在所述半导体单晶体(100)中的分离面(104)内的晶体结构局部地改性到已改变的组织结构状态；-通过选择性刻蚀移除已改性的所述分离面(104)。2.根据权利要求I所述的方法，包括-抛光所述半导体层的邻接于所述分离面(104)的表面。3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，通过将由所述激光器发射的激光辐射 (106)经由所述半导体单晶体(100)的上侧(102)聚焦地射入实现改性。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述激光辐射包括皮秒激光辐射或飞秒激光辐射。5.根据上述权利要求之一所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔夫·瓦格纳，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：