光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术

本发明专利技术涉及用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1）。在支承体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3）以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体（2）上设有至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一和第二光谱范围彼此不同。至少一个第一半导体芯片（3）和至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在唯一的封装件中。通过隔离件（5）将至少一个第一半导体芯片（3）与至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）光学地分隔开。至少一个第一半导体芯片（3）和至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）分别中心对称地围绕共同的对称中心设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于混合不同波长的电磁辐射的光电子器件。此外，说明一种用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
为了产生混合光，能够在光电子器件中将直接邻近的发射不同波长的电磁辐射的半导体芯片彼此组合。在此，第一半导体芯片能够部分地吸收第二半导体芯片的电磁辐射，这使光电子器件的光效率变差。例如为了产生暖白色的光，能够将发射蓝色光的InGaN半导体芯片与发射红色光的AlGaInP半导体芯片组合。在此，能够出现高的吸收损失，因为对于具有小于大约 600nm波长的、因此尤其在蓝色光谱范围中的、由InGaN半导体芯片发射的电磁辐射而言，AlGaInP半导体芯片是强烈吸收的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种将吸收损失最小化的光电子器件。所述目的通过根据独立权利要求I或14所述的来实现。光电子器件的改进形式和有利的扩展方案在从属权利要求中说明。不同的实施形式具有用于尤其在远场中混合不同波长的电磁辐射的光电子器件。在支承体上设有至少一个第一半导体芯片以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体上设有至少一个第二半导体芯片以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一和第二光谱范围彼此不同。至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔夫·维尔特，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：