光电子器件及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种具有半导体芯片（1）和载体（12）的光电子器件，所述载体借助于由金属或金属合金制成的连结层（14）与半导体芯片（1）连接，其中半导体芯片（1）具有朝向载体（12）的电连接区域（18，19），并且载体（12）在背离半导体芯片（1）的后侧上具有电后侧接触部（28、29）。后侧接触部（28、29）分别借助于至少一个穿过载体（12）延伸的通孔敷镀部（15）与第一或第二电连接区域（18、19）导电地连接，其中第一和/或第二电后侧接触部（28、29）借助于至少一个其他的穿过载体延伸的通孔敷镀部（15、16）与第一或第二电连接区域（18、19）连接。此外，提出一种用于制造这种光电子器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件及其制造方法
本专利技术涉及一种光电子器件，所述光电子器件具有半导体本体和借助于连结层与半导体本体连接的载体衬底。本申请要求德国专利申请102010025320.0的优先权，其公开内容在此通过引用并入本文。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提出一种改进的光电子器件，其能够表面装配，并且特征在于良好的载流能力。此外，提出一种用于制造这种光电子器件的有利的方法。所述目的通过一种光电子器件来实现，所述光电子器件具有：半导体芯片，所述半导体芯片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有有源层；和载体，所述载体借助于由金属或金属合金制成的连结层与所述半导体芯片连接，其中所述半导体芯片具有第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和所述第二电连接区域朝向所述载体，所述载体在背离所述半导体芯片的后侧上具有第一电后侧接触部和第二电后侧接触部，所述第一电后侧接触部借助至少一个穿过所述载体延伸的通孔敷镀部与所述第一电连接区域导电地连接，所述第二电后侧接触部借助至少一个穿过所述载体延伸的通孔敷镀部与所述第二电连接区域导电地连接，所述第一电后侧接触部和/或所述第二电后侧接触部借助至少一个其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.28 DE 102010025320.01.用于制造光电子器件的方法，所述光电子器件具有：半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有半导体层序列(20)，所述半导体层序列具有有源层(3)；和载体(12)，所述载体借助于由金属或金属合金制成的连结层(14)与所述半导体芯片(1)连接，其中-所述半导体芯片(1)具有第一电连接区域(18)和第二电连接区域(19)，-所述第一电连接区域(18)和所述第二电连接区域(19)朝向所述载体(12)，-所述载体(12)在背离所述半导体芯片(1)的后侧上具有第一电后侧接触部(28)和第二电后侧接触部(29)，-所述第一电后侧接触部(28)借助至少一个穿过所述载体(12)延伸的通孔敷镀部(15)与所述第一电连接区域(18)导电地连接，-所述第二电后侧接触部(29)借助至少一个穿过所述载体(12)延伸的通孔敷镀部(16)与所述第二电连接区域(19)导电地连接，-所述第一电后侧接触部和/或所述第二电后侧接触部(28、29)借助至少一个其他的穿过所述载体延伸的通孔敷镀部(15、16)与所述第一电连接区域或所述第二电连接区域(18、19)连接，并且-所述通孔敷镀部(15、16)由与所述连结层(14)相同的金属或相同的金属合金制成，所述方法具有下面的方法步骤：-提供载体(12)，所述载体具有多个开口(22)以用于构成通孔敷镀部(15、16)，-提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有第一电连接区域(18)和第二电连接区域(19)，其中所述第一电连接区域(18)和所述第二电连接区域(19)通过在所述半导体芯片(1)中的凹部(23)彼此分离，-用电绝缘材料(17)填充所述凹部(23)，使得所述电绝缘材料(17)伸出超过所述连接区域(18、19)的子区域，-将所述载体放置到所述半导体芯片上，其中伸出超过所述连接区域(18、19)的所述电绝缘材料(17)作用为间距保持层，使得在所述半导体芯片(1)和所述载体(12)之间形成间隙(24)，-将液态的金属或液态的金属合金穿过在所述载体中的所述开口(22)填入所述间隙(24)中，其中所述金属或所述金属合金在凝固后构成所述连结层(14)和所述通孔敷镀部(15、16)。2.根据权利要求1所述的用于制造光电子器件的方法，其中在构成所述连结层(14)和所述通孔敷镀部(15、16)时，也构成所述第一电后侧接触部和所述第二电后侧接触部(28、29)，其中在将所述液态的金属或所述液态的金属合金填入所述开口(22)中之前，将结...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢茨·赫佩尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：