光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术

光电子器件（1）具有载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。半导体芯片（3）设置在载体（2）上，并且设计用于发射初级辐射（6）。半导体芯片（3）至少部分地包围至少部分透明的介质（7），所述介质具有在载体（2）上方的高度（8）和沿着载体（2）的宽度（9）。将颗粒（10、11）引入介质（7）中，所述颗粒与初级辐射（6）相互作用。介质（7）的高度（8）与宽度（9）之比大于1。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种具有用于发射电磁辐射的半导体芯片的光电子器件，以及ー种具有至少ー个这种光电子器件的发光装置。此外，提出ー种用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
从现有技术中已知光电子器件和具有所述光电子器件的发光装置。因此，文献W02009/135620A1公开ー种具有发射电磁福射的发光机构的发光装置。发光机构的ー个扩展方案能够是光电子器件。通过与颗粒之间的相互作用使电磁辐射部分地偏转，并且部分 地使电磁辐射相关于其波长改变。电磁辐射的偏转能够通过颗粒密度的梯度达到。然而，颗粒密度的梯度的调节在制造中是极其耗费的、难以复现的和昂贵的。例如在文献DE102005003460A1中公开，光电子器件具有施加在载体上的、光学活性的外延层。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种光电子器件以及ー种具有至少ー个这种光电子器件的发光装置，所述光电子器件具有在介质中的颗粒，使得将电磁辐射偏转到优选方向上，即水平于载体。此外，在发光装置中均匀的光分布在没有耗费的耦合输出结构的情况下应当是可能的。所述目的通过下述来实现-根据权利要求I的光电子器件，-根据权利要求15的用于制造光电子器件的方法，或者-本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡·伊莱克，亚历山大·林科夫，马蒂亚斯·扎巴蒂尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：