【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件、有机功能层和用于制造光电子器件的方法
本专利技术涉及一种光电子器件、一种有机功能层和一种用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
发射电磁辐射的器件,例如有机发光二极管(OLED)通常存在的问题是:提供具有电子和/或空穴的高的导电率的一个或多个层。在层中、例如在空穴传输层或电子传输层中的较高的导电率经常正面地影响发射电磁辐射的层中的激子密度。反之,在层中导电率不充分的情况下,能够引起在发射辐射的器件中增强的效率损失和光密度损失。
技术实现思路
需要解决的目的在于:提供一种光电子器件、一种例如可在其中使用的有机功能层、以及一种用于制造具有改进的导电率的光电子器件的方法。根据一个实施方式的光电子器件包括衬底、第一电极、第二电极、至少一个有机功能层,所述有机功能层设置在第一电极和第二电极之间。有机功能层包括基体材料、第一化合物和第二化合物,其中第一化合物与第二化合物和第一化合物和/或第二化合物与基体材料相互作用。通过相互作用产生有机功能层的导电率,所述导电率相对于纯的基体材料的导电率改进。专利技术人惊讶地发现:在光电子器件运行中由基体材料、第一化合物和第二化合物构成的组合在至少一个有机功能层中引起有机功能层的导电率提高。此外,这产生提高的发光密度和复合效率进而引起光电子器件的提高的发光产量。通过载流子复合产生的电磁辐射基本上能够通过第一电极或第二电极或通过这两者耦合输出。电磁辐射在此和下文中优选包括具有一个或多个出自紫外至红外光谱范围中的波长或波长范围的电磁辐射、尤其优选电磁辐射是具有出自大约350nm和大约800nm之间的可见光谱范围中的波长或波长范围的可 ...
【技术保护点】
一种光电子器件,所述光电子器件包括:‑衬底(1),‑第一电极(2),‑第二电极(9),‑至少一个有机功能层,所述有机功能层设置在第一电极(2)和第二电极(9)之间,和‑基体材料,‑第一化合物,和‑第二化合物,其中所述第一化合物与所述第二化合物相互作用,并且其中所述第一化合物和/或所述第二化合物与所述基体材料相互作用,并且其中通过所述相互作用产生所述有机功能层的导电率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.02 DE 102013106949.51.一种光电子器件,所述光电子器件包括:-衬底(1),-第一电极(2),-第二电极(9),-至少一个有机功能层,所述有机功能层设置在第一电极(2)和第二电极(9)之间,和-基体材料,-第一化合物,和-第二化合物,其中所述第一化合物与所述第二化合物相互作用,并且其中所述第一化合物和/或所述第二化合物与所述基体材料相互作用,并且其中通过所述相互作用产生所述有机功能层的导电率,其中所述第一化合物与所述第二化合物和所述第一化合物与所述基体材料和/或所述第二化合物与所述基体材料构成至少一个配位键。2.根据权利要求1所述的光电子器件,其中所述有机功能层选自:空穴传输层、空穴注入层和空穴阻挡层。3.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中所述第一化合物选自下列结构单元或式:其中R1、R1’、R2x和R2x’彼此独立地选自:无枝化的、枝化的、缩合的、环状的、未取代的和取代的烷基残基、取代的和未取代的芳香烃、取代的和未取代的杂芳烃,其中x分别代表a、b、c或d,其中R1、R2、R3和/或R4是相同的或不同的并且分别选自:取代或未取代的烃基残基、烷基残基、环烷基残基、杂环烷基残基、芳基残基、杂芳烃残基和它们的组合,并且其中所述第二化合物选自:二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹恶啉-2,3,6,7,10,11-六腈、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、2,3-二(N-苯二甲酰)-5,6-二氰基-1,4-苯醌、吡嗪[2,3-F][1,10]菲啰啉-2,3-二腈和其氟化的或非氟化的衍生物和四氰基对苯二醌二甲烷和其氟化的或非氟化的衍生物。4.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中所述有机功能层的导电率大于由第一导电率和第二导电率组成的总和,所述第一导电率通过所述第一化合物与所述基体材料的唯一的相互作用产生,所述第二导电率通过所述第二化合物与所述基体材料的唯一的相互作用产生。5.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中所述第一化合物是关于所述基体材料的电子受体和/或关于所述第二化合物的电子受体。6.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中所述第二化合物是关于所述基体材料的电子受体和/或关于所述第一化合物的电子供体。7.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其通过同时从所述第一化合物、所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿恩特·耶格,冈特·施密德,
申请(专利权)人:欧司朗OLED股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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