生长于波长转换衬底上的发光器件制造技术

在本发明专利技术的一些实施例中，器件包括衬底和半导体结构。衬底包括：波长转换元件（30），波长转换元件（30）包括设置于透明材料中的波长转换材料；包括III-氮化物材料将在其上成核的材料的种子层（34）；以及设置于波长转换元件和种子层之间的接合层（32）。半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III-氮化物发光层并生长于种子层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种生长于波长转换复合衬底上的半导体发光器件。
技术介绍
半导体发光器件是当前可用的最有效率的光源之一，包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED )、垂直腔激光二极管(VCSEL)和边发射激光器。制造能够在可见光谱工作的高亮度发光器件时当前感兴趣的材料系统包括πι-v族半导体，尤其是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也称为III-氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相淀积(M0CVD)、分子束外延(MBE)或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III-氮化物或其他适当衬底上外延生长成分和掺杂剂浓度不同的半导体层的叠层，从而制造III-氮化物发光器件。叠层常常包括形成于衬底上，掺杂有例如Si的一个或多个η型层，形成于η型层上有源区 中的一个或多个发光层，以及形成于有源区上，掺杂有例如Mg的一个或多个P型层。在η和P型区域上形成电接触。图I示出了在US 7514721中更详细描述的LED，在此通过引用将其并入本文。“在成核结构58和发光陶瓷之间的界面处，直接通过晶片接合或通过中间接合层(未示出)，通过接合体56将发光陶瓷52接合到成核结构58。如果使用接合层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：NF加德纳，AJF达维达，OB施彻金，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：
国别省市：