半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术实现抑制泄漏电流的发生而提高了发光效率的半导体发光元件。本发明专利技术的半导体发光元件的制造方法具有以下工序：在基板上形成n型半导体层的工序(a)；在n型半导体层上将发光层及阻挡层交替地层叠而形成活性层的工序(b)；和供给p型的掺杂剂而在活性层上形成p型半导体层的工序(c)，在工序(b)中，将阻挡层中的位于最靠近p型半导体层的最终阻挡层以与形成于该最终阻挡层内的凹部的直径相比更厚的膜来形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在n型半导体层与p型半导体层之间具有由发光层及阻挡层交替地层叠而成的活性层的半导体发光元件及其制造方法。
技术介绍
发出紫外光的半导体发光元件中有曝光、固化、杀菌、医疗、传感器用途之类的广泛的应用制品，今后可以期待大的市场。作为发出紫外光的半导体发光元件，已知有InGaN系的半导体发光元件。以往的InGaN系的半导体发光元件的主流是下述的半导体发光元件：在由蓝宝石等构成的生长基板上，使将n型半导体层、由阻挡层及发光层交替地层叠而成的活性层和p型半导体层层叠而成的半导体层依次生长，利用涂布于基板上的软钎料将生长基板上的半导体层与支撑基板贴合后，通过激光剥离将生长基板剥离而制成。目前普及的InGaN系的半导体发光元件的大部分是通过在蓝宝石基板上使GaN层及InGaN层外延生长而形成的。此时已知：由于蓝宝石与GaN及InGaN晶格常数不同，所以在生长层内存在被称为高密度的位错的晶体缺陷(例如参照专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-270514号公报专利文献2：日本特表2008-539585号公报非专利文献非专利文献1：N.Kuroda，C.S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：在基板上形成n型半导体层的工序(a)；在所述n型半导体层上将发光层及阻挡层交替地层叠而形成活性层的工序(b)；和供给p型的掺杂剂而在所述活性层上形成p型半导体层的工序(c)，在所述工序(b)中，将所述阻挡层中的位于最靠近所述p型半导体层的最终阻挡层以与形成于该最终阻挡层内的凹部的直径相比更厚的膜来形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.26 JP 2013-2702681.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：在基板上形成n型半导体层的工序(a)；在所述n型半导体层上将发光层及阻挡层交替地层叠而形成活性层的工序(b)；和供给p型的掺杂剂而在所述活性层上形成p型半导体层的工序(c)，在所述工序(b)中，将所述阻挡层中的位于最靠近所述p型半导体层的最终阻挡层以与形成于该最终阻挡层内的凹部的直径相比更厚的膜来形成。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述发光层由InGaN系化合物构成。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在所述工序(b)中，以100nm以下的厚度形成所述最终阻挡层。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在所述工序(c)中，所述p型的掺杂剂为...

【专利技术属性】
技术研发人员：月原政志，中村薰，
申请(专利权)人：优志旺电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP