光电半导体芯片和光电半导体组件制造技术

技术编号:12483716 阅读:46 留言:0更新日期:2015-12-10 21:02
提出了一种光电半导体芯片,其包括非矩形的、平行四边形的盖表面(1),以及-有源区域(21),所述有源区域与所述盖表面(1)间隔开距离并且至少部分地平行于所述盖表面(1)延伸,其中-所述盖表面(1)包括辐射出射表面(11),操作期间在所述有源区域(21)中所生成的电磁辐射穿过所述辐射出射表面(11)射出,所述辐射出射表面(11)具有至少四个角(12),以及-所述盖表面(1)包括至少一个三角形连接区域(13a,13b),所述有源区域经由所述至少一个三角形连接区域(13a,13b)能够被电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请提出一种光电半导体芯片。此外,本申请提出一种光电半导体组件。
技术介绍
文献US 6,163,036描述了一种光电半导体芯片和一种光电半导体组件。
技术实现思路
要实现的一个目的是提出一种光电半导体芯片,其中可以使辐射出射表面特别大。此外,要实现的一个目的是提出一种可以特别简单且划算地制造的光电半导体组件。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该光电半导体芯片包括非矩形的、平行四边形的顶表面。该顶表面是在制造公差的范围内的平行四边形。也就是说,在每一种情况下,该顶表面具有在制造公差的范围内彼此平行的两条边界线。这里的边界线以公差+/-5 %彼此平行地布置。该顶表面由光电半导体芯片的主表面形成。该顶表面背离光电半导体芯片的底表面。例如在底表面处,该光电半导体芯片可供安装在承载件上。例如,该顶表面成形在光电半导体芯片的顶侧处,且包括光电半导体芯片的整个顶侧。除了非矩形的、平行四边形的顶表面,该光电半导体芯片还可以具有非矩形的、平行四边形的横截面和非矩形的、平行四边形的底表面。横截面和底表面可以在制造公差的范围内平行于顶表面延伸。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该光电半导体芯片包括有源区域。设置有源区域以在光电半导体芯片的操作期间生成电磁辐射(例如光)。该有源区域在光电半导体芯片的内部以与顶表面间隔开距离地布置,并且在制造公差的范围内至少部分地平行于顶表面延伸。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该顶表面包括辐射出射表面,在操作期间在有源区域中所生成的电磁辐射穿过该辐射出射表面射出。也就是说,该辐射出射表面由顶表面的一部分形成。例如,该福射出射表面为光电半导体芯片的仅有的福射出射表面。在该情况下,从半导体芯片几乎没有任何或者根本没有在有源区域中所生成的电磁辐射穿过光电半导体芯片的侧表面而射出。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该福射出射表面具有至少四个角。例如,该辐射出射表面可以以矩形的方式实施。此外,该辐射出射表面可以由多角形(例如五角形或六角形)形成。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该顶表面包括至少一个三角形连接区域。在该情况下,连接区域在制造公差的范围内以三角形的方式实施。连接区域为光电半导体芯片的电连接区域,该有源区域经由该连接区域是可被电连接的。该连接区域可以至少部分地或者完全被导电材料(例如金属化材料)覆盖。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该光电半导体芯片包括非矩形的、平行四边形的顶表面和有源区域,该有源区域以与顶表面间隔开距离地布置,并且至少部分地平行于顶表面延伸。在该情况下,顶表面包括辐射出射表面,在操作期间在有源区域中所生成的电磁辐射穿过该辐射出射表面射出,其中该辐射出射表面具有至少四个角。此外,该顶表面包括至少一个三角形连接区域,有源区域经由该三角形连接区域是可被电连接的。这里所描述的光电半导体芯片尤其是基于这样的认识:在具有非矩形的、平行四边形的顶表面的非矩形的、平行四边形的半导体芯片的端部处,电连接区域可以以特别节约空间的方式实施。此外,这里描述的光电半导体芯片可能在生产中通过沿着直线延伸的切割沟槽来制造。例如,切割沟槽可以是锯切的沟槽。具有大量光电半导体芯片的半导体晶片通过切割沟槽来切割,以形成光电半导体芯片。在该情况下,以不同方向延伸的切割沟槽的主延伸方向彼此并不垂直,而是相对于彼此横向地延伸,因此产生了具有平行四边形的、非矩形的顶表面的半导体芯片。此外,以这种方式可能实现具有矩形或几乎矩形的辐射出射表面的光电半导体芯片,而无需光电半导体芯片的连接区域必须在光电半导体芯片的顶表面的整个宽度或整个长度上延伸。也就是说,相较于常规的、矩形的光电半导体芯片,具有非矩形的、平行四边形的顶表面的光电半导体芯片能够通过几乎矩形的全部照明图像结合区域更小的接触区域来提供均匀的照明图像。在这里所描述的光电半导体芯片的情况下,辐射出射表面可以被选择成相对于连接区域特别地大。这里和下文中,即使这没有明确地提及,如“平行”、“三角形”、“矩形”的几何术语不应该以严格的数学意义被理解,而是这些术语指的是在制造公差的范围内的可能的配置。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该顶表面仅仅包括福射出射表面和所述至少一个三角形连接区域。也就是说,顶表面仅仅形成有这些组件,它们一起完全填满该顶表面。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该顶表面包括恰好一个辐射出射表面和恰好两个三角形连接区域,该两个三角形连接区域布置在顶表面的相对两侧处。在该情况下,辐射出射表面布置在两个三角形连接区域之间。在该情况下,顶表面由该辐射出射表面和两个三角形连接区域组成。因此,例如,平行四边形的顶表面被细分成两个三角形以及一个矩形或一个六角形。这样,可能以特别简单的方式来提供包括辐射出射表面的光电半导体芯片,其中在平行四边形的顶表面的角中布置连接区域。被连接区域所占用的顶表面的区域比例可以以简单的方式通过平行四边形倾斜的角度来设置。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,福射出射表面为矩形。例如,这可以通过将顶表面分成恰好一个矩形的辐射出射表面和两个三角形连接区域来实现。然后,三角形连接区域布置在矩形的辐射出射表面的相对两侧处。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,福射出射表面为六角形。也就是说,福射出射表面具有六个角。在该情况下,使三角形连接区域的面积特别小,并且例如,仅仅包括平行四边形的顶表面的尖端。这样,使得其余的辐射出射表面特别大,然而几乎是矩形的,使得在例如并不希望有正方形的辐射出射表面的应用中可以高效地使用半导体芯片。 根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该光电半导体芯片包括至少一个电镀的通孔,该电镀的通孔穿过有源区域,其中该电镀的通孔导电连接到至少一个三角形连接区域。在该情况下,光电半导体芯片在辐射出射表面处没有用于分配操作光电半导体芯片的电流的导电轨道或接触轨道,而是在辐射出射表面的下面发生电流在芯片区域上的分配。这种包括穿过有源区域的电镀的通孔的光电半导体芯片针对文献US 2010/0171135中的矩形的半导体芯片在原理上进行了描述,其公开内容通过引用在此清楚地并入本文。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,至少一个三角形连接区域为可接合导线的。也就是说,光电半导体芯片的三角形连接区域设置成供导线接合。还提出了一种光电半导体组件。该光电半导体组件包括至少一个这里所描述的光电半导体芯片。也就是说,针对光电半导体芯片所公开的所有特征也是针对光电半导体组件公开的。根据光电半导体组件的至少一个实施方式,该光电半导体组件包括至少一个这里所描述的光电半导体芯片。在该情况下,该光电半导体组件可以恰好包括一个这种光电半导体芯片、或者两个或者更多个这种光电半导体芯片。根据光电半导体芯片的至少一个实施方式,该光电半导体组件包括转换元件。例如,该转换元件为包含发光转换材料的箔或刚性板。该转换材料设置成用于吸收在有源区域中所生成的电磁辐射的一部分并重新发出例如具有更长波长的电磁辐射。因此,转换元件对所述辐射进行波长转换。例如,如果光电半导体芯片在其有源区域中生成蓝光,则可以设置转换元件以吸收蓝光的一部分并发出具有更长波长的光。这样,例如半导体组件可以发出白色混合光,该白色混合光由直接由本文档来自技高网...
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/CN105144414.html" title="光电半导体芯片和光电半导体组件原文来自X技术">光电半导体芯片和光电半导体组件</a>

【技术保护点】
一种光电半导体组件,包括:‑至少一个光电半导体芯片,以及‑转换元件(3),所述转换元件(3)布置在所述至少一个光电半导体芯片的辐射出射表面(11)处,其中‑所述转换元件(3)为矩形的,并且‑所述转换元件(3)完全覆盖所述辐射出射表面(11),其中所述至少一个光电半导体芯片包括:‑非矩形的、平行四边形的顶表面(1),以及‑有源区域(21),所述有源区域(21)与所述顶表面(1)间隔开距离,并且所述有源区域至少部分地平行于所述顶表面(1)延伸,其中‑所述顶表面(1)包括所述辐射出射表面(11),在操作期间在所述有源区域(21)中所生成的电磁辐射穿过所述辐射出射表面(11)射出,‑所述辐射出射表面(11)具有至少四个角(12),以及‑所述顶表面(1)包括至少一个三角形连接区域(13a,13b),所述有源区域经由所述至少一个三角形连接区域能够被电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:亚当·鲍尔
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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