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本发明实现抑制泄漏电流的发生而提高了发光效率的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法具有以下工序：在基板上形成n型半导体层的工序(a)；在n型半导体层上将发光层及阻挡层交替地层叠而形成活性层的工序(b)；和供给p型的掺杂剂而在活性...
该专利属于优志旺电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过优志旺电机株式会社授权不得商用。

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