光电子器件制造技术

本发明专利技术提出一种光电子器件，所述光电子器件具有：半导体本体（1），所述半导体本体具有外延层序列（2）；由半导体材料制成的载体衬底（6），所述载体衬底借助于焊层（7）与半导体本体（1）连接并且具有贯通接触部（9a、9b）。载体衬底（6）具有表面掺杂区（14），所述表面掺杂区沿着朝向半导体本体（1）的第一主面（11）延伸。表面掺杂区（14）具有p型区域（14a）和邻接于其的n型区域（14b），在所述p型区域和所述n型区域之间构造有pn结（16）。n型区域（14b）经由焊层（7）的第一部分区域（7a）电连接到外延层序列（2）的p掺杂的区域（3）上，并且p型区域（14a）经由焊层（7）的第二部分区域（7b）电连接到外延层序列（2）的n型区域（5）上，以至于在表面掺杂区（14）中的pn结（16）构成用于半导体本体（1）的保护二极管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及一种光电子器件，所述光电子器件具有半导体本体和借助于焊层与半导体本体连接的载体衬底。
技术介绍
本专利申请要求德国专利申请102010027679. O的优先权，其公开内容以参引的方式并入本文。
技术实现思路
·本专利技术的目的在于，提出一种改进的光电子器件，其中半导体本体借助于焊层与载体衬底连接，其中光电子器件的特征在于相对于短路和/或静电放电(ESD-Electrostatic Discharge)的低的敏感度，并且可比较简单地制造。所述目的通过根据独立权利要求1所述的光电子器件得以实现。本专利技术的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。根据一个实施形式，光电子器件具有半导体本体，所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层的外延层序列。此外，光电子器件具有载体衬底，所述载体衬底借助于焊层与半导体本体连接。光电子器件的载体衬底有利地由半导体材料制成。载体衬底有利地具有第一贯通接触部和第二贯通接触部，所述第一贯通接触部和第二贯通接触部分别从载体衬底的朝向半导体本体的第一主面被引导至载体衬底的背离半导体本体的第二主面。由于载体衬底的经由焊层与半导体本体连接的第一主面的贯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.20 DE 102010027679.01.光电子器件，具有半导体本体(1)，所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层(4)的外延层序列(2);以及由半导体材料制成的载体衬底(6)，所述载体衬底借助于焊层(7 )与所述半导体本体(I)连接， 其中， -所述载体衬底(6)具有第一贯通接触部(9a)和第二贯通接触部(％)，所述第一贯通接触部和所述第二贯通接触部分别从所述载体衬底(6)的朝向所述半导体本体(I)的第一主面(11)被引导到所述载体衬底(6 )的背离所述半导体本体(I)的第二主面(12 )， -所述外延层序列(2)具有P掺杂的半导体区域(3)和η掺杂的半导体区域(5)，其中，所述第一贯通接触部(9a)经由所述焊层(7)的第一部分区域(7a)与所述P掺杂的半导体区域(3)导电地连接，并且所述第二贯通接触部(9b)经由所述焊层的第二部分区域(7b)与所述η掺杂的半导体区域(5)导电地连接， -所述载体衬底(6)具有表面掺杂区(14)，所述表面掺杂区沿着所述第一主面(11)延伸， -所述表面掺杂区(14)具有P型区域(14a)，所述P型区域包含P掺杂材料， -所述表面掺杂区(14)具有邻接于所述P型区域(14a)的η型区域(14b)，所述η型区域既包含η掺杂材料也包含P掺杂材料，以至于在所述P型区域(14a)和所述η型区域(14b)之间构造有pn结(16), -所述η型区域(14b)电连接到所述焊层(7)的所述第一部分区域(7a)上，并且所述p型区域(14a)电连接到所述焊层(7)的所述第二部分区域(7b)上，以至于在所述表面掺杂区(14)中的所述pn结(16)构成用于所述半导体本体(I)的保护二极管。2.根据权利要求1所述的光电子器件， 其中，除了贯通接触部(9a、9b)以外，所述表面掺杂区(14)沿着所述载体衬底(6)的整个所述第一主面...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢茨·赫佩尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：