利用Ru/Si二极管的交叉点存储器制造技术

本发明专利技术涉及利用包括串联耦合于两个导体之间的电阻元件及二极管的存储器单元的存储器装置。所述二极管包括钌材料及硅材料。所述二极管进一步包括在所述硅材料上的钌或硅化钌的界面。硅化钌界面可为多晶硅化钌。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及半导体存储器，且特定来说，在一个或一个以上实施例中，本专利技术涉及利用含有钌及硅的二极管的交叉点存储器。
技术介绍
通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包括(举例来说)随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。一般来说，交叉点存储器由出现于两个导电线(例如，存取线(通常称为字线)与 数据线(通常称为位线))的相交点处的电阻元件界定。图1是具有出现于存取线138(例如，字线)与数据线126 (例如，位线)的相交点处的存储器单元102的基本交叉点存储器阵列100的一部分的示意图。阵列100中的每一存储器单元102包括耦合于存取线138与数据线126之间的电阻元件104。一般来说，电阻元件104的电阻率的差界定每一存储器单元102的数据值。举例来说，具有电阻率相对较高的电阻元件104的存储器单元102可界定例如逻辑0的一个数据值，而具有电阻率相对较低的电阻元件104的存储器单元102可界定例如逻辑I的不同数据值。通过跨越特定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.09 US 12/833,3141.一种存储器单元，其包含第一导体；第二导体；电阻元件，其耦合于所述第一导体与所述第二导体之间 '及二极管，其在所述第一导体与所述第二导体之间与所述电阻元件串联耦合；其中所述二极管包含钌材料及硅材料；且其中所述二极管进一步包含在所述硅材料上的选自由所述硅材料上的钌界面及所述硅材料上的硅化钌界面组成的群组的界面。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电阻元件包含具有可变电阻率的材料。3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电阻元件包含熔丝或反熔丝。4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述硅化钌界面为多晶硅化钌。5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述硅材料选自由单晶硅、多晶硅及非晶硅组成的群组。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述二极管在所述电阻元件与所述第一导体之间。7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述二极管的所述界面在所述二极管的所述硅与所述第一导体之间。8.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述电阻元件包含第一电极；具有可变电阻率的材料；及第二电极，其在所述第二导体与所述具有可变电阻率的材料之间。9.根据权利要求8所述的存储器单元，其中所述具有可变电阻率的材料与沿所述第一导体的方向的邻近存储器单元及沿所述第二导体的方向的邻近存储器单元接触。10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述二极管与沿所述第一导体的所述方向的所述邻近存储器单元接触，但不与沿所述第二导体的所述方向的所述邻近存储器单元接触。11.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述二极管与沿所述第一导体的所述方向的所述邻近存储器单元及沿所述第二导体的所述方向的所述邻近存储器单元隔离。12.根据权利要求8所述的存储器单元，其中所述具有可变电阻率的材料与沿所述第一导体的方向的邻近存储器单元及沿所述第二导体的方向的邻近存储器单元隔离。13.根据权利要求12所述的存储器单元，其中所述二极管与沿所述第一导体的所述方向的所述邻近存储器单元及沿所述第二导体的所述方向的所述邻近存储器单元隔离。14.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述二极管在所述电阻元件与所述第二导体之间。15.根据权利要求14所述的存储器单元，其中所述二极管的所述硅在所述二极管的所述界面与所述第二导体之间。16.根据权利要求14所述的存储器单元，其中所述电阻元件包含第一电极；具有可变电阻率的材料；及第二电极，其在所述二极管与所述具有可变电阻率的材料之间。17.根据权利要求16所述的存储器单元，其中所述具有可变电阻率的材料与沿所述第一导体的方向的邻近存储器单元及沿所述第二导体的方向的邻近存储器单元接触。18.根据权利要求17所述的存储器单元，其中所述二极管与沿所述第二导体的所述方向的所述邻近存储器单元接触，但不与沿所述第一导体的所述方向的所述邻近存储器单元接触。19.根据权利要求17所述的存储器单元，其中所述二极管与沿所述第一导体的所述方向的所述邻近存储器单元及沿所述第二导体的所述方向的所述邻近存储器单元隔离。20.根据权利要求16所述的存储器单元，其中所述具有可变电阻率的材料与沿所述第一导体的方向的邻近存储器单元及沿所述第二导体的方向的邻近存储器单元隔离。21.根据权利要求20所述的存储器单元，其中所述二极管与沿所述第一导体的所述方向的所述邻近存储器单元及沿所述第二导体的所述方向的所述邻近存储器单元隔离。22.—种存储器装置，其包含存储器单元阵列；多个存取线；及多个数据线；其中所述存...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼马尔·拉马斯瓦米，柯尔克·D·普拉尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：