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本发明涉及利用包括串联耦合于两个导体之间的电阻元件及二极管的存储器单元的存储器装置。所述二极管包括钌材料及硅材料。所述二极管进一步包括在所述硅材料上的钌或硅化钌的界面。硅化钌界面可为多晶硅化钌。...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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