具有大致垂直的邻近半导体结构的存储器阵列及其形成制造技术

本发明专利技术揭示存储器阵列及其形成方法。一个此种存储器阵列具有邻近于分离的大致垂直的邻近半导体结构形成的存储器单元串，其中所述分离的半导体结构串联耦合相应串的存储器单元。对于一些实施例，可由形成于单个开口中的电介质形成两个电介质柱，其中所述电介质柱中的每一者具有邻近于其的一对存储器单元串，且其中所述串中的在所述柱中的一者上的一个串的至少一个存储器单元与所述串中的在另一柱上的一个串的至少一个存储器单元共同地耦合到一存取线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有大致垂直的邻近半导体结构的存储器阵列及其形成
本专利技术一般来说涉及存储器，且特定来说，在一些实施例中，本专利技术涉及具有大致垂直的邻近半导体结构的存储器阵列及其形成。
技术介绍
通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。快闪存储器装置已发展成为用于广泛的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。 非易失性存储器是可在不施加电力的情况下将其数据值保持达某一长周期的存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。 通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其有时称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，所述单元的阈值电压的改变确定每一单元的数据值。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、 数字媒体播放器、数字记录器、游戏机、电器、车辆、无线装置、移动电话及可抽换式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘增涛，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：