【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种NOR快闪存储器及其形成方法和接触孔的形成方法。
技术介绍
在半导体器件中，漏电流会引起不必要的功耗。所以生产制造过程中一直致力于减少漏电流的产生，尽量消除漏电流的影响。漏电流的产生有各种因素。其中，在NOR分裂栅快闪存储器中，在高压擦写运行时，源极电子加速到漏极，然后再由漏极注入到浮栅的这样一个过程里，漏极和栅极之间容易因为高压产生漏电流。另外，由于集成电路关键尺寸不断的缩小，漏极上的接触孔和栅极之间的最小距 离越来越小，导致它们之间的介质层更容易在高压下被击穿，产生漏电流。在器件尺寸还比较大的时候，上述原因导致产生的漏电流对NOR快闪存储器来说还不是很明显。而在器件尺寸逐渐缩小到150nm以下后，NOR快闪存储器中因为上述原因产生漏电流的现象越来越明显。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种漏电流较小的NOR快闪存储器。本专利技术还提供一种上述存储器的形成方法。本专利技术另提供一种接触孔的形成方法。为实现前述目的，本专利技术提供一种NOR快闪存储器，包括半导体衬底，所述半导体衬底内形成有漏极；位于半导体衬底上的栅极，...
【技术保护点】
一种NOR快闪存储器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有漏极；位于半导体衬底上的栅极，所述栅极位于所述漏极的相邻区域；覆盖所述漏极与所述栅极的介质层；形成在所述介质层内并连接所述漏极的接触孔；其特征在于，所述接触孔与所述漏极相接触的接触面的宽度为40nm到150nm，所述接触面与栅极的最近端距离为30nm到100nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王友臻，周儒领，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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