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本发明提供的NOR快闪存储器，包括：漏极；覆盖所述漏极的介质层；形成在所述介质层内的连接所述漏极的接触孔；其中，所述接触孔与所述漏极相接触的接触面的宽度为40nm到150nm，所述接触面与栅极的最近端距离为30nm到100nm。本发明另提供...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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