动态记忆体结构制造技术

一种动态记忆体结构，至少包含基材、条状半导体材料、断开栅极、介电层、栅极介电层与电容单元。条状半导体材料位于基材上，并沿着第一方向延伸。断开栅极位于基材上并沿着第二方向延伸。断开栅极包含独立的第一区块以及第二区块，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区。介电层至少部分夹置于断开栅极与基材之间。栅极介电层至少部分夹置于断开栅极与条状半导体材料之间。电容单元则与源极端电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种动态记忆体(存储器)结构。尤其涉及一种具有断开栅极而且电容单元与源极端共享的动态记忆体结构。
技术介绍
DRAM (dynamic random access memory)记忆体结构单兀是一种由金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)的晶体管串联至一电容器(capacitor)所构成的记忆体结构单元。金属氧化物半导体晶体管包含有栅极以及至少两组的掺杂区，分别作为漏极(source)或源极(drain)之用。金属氧化物半导体晶体管是由电连接至栅极的字符线(word line)控制整个晶体管的开关,并利用漏极电连接至一位元线(bit line)来形成电流传输通路，然后再经由源极电连接至电容器的储存电极(storage node)达成数据储存或 输出的目的。在目前的动态随机存取记忆体工艺中，电容器大多设计成堆叠于基底表面上的堆叠电容(stack capacitor)或是埋入基底中的深沟渠电容(deep trench capacitor) 二种。无论是哪一种动态随机存取记忆体，都只有一个栅极来控制埋在基材中的栅极通道的开关，而且需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态记忆体结构，其特征在于，包含：一基材；位于该基材上并沿着一第一方向延伸的一第一条状半导体材料；位于该基材上并沿着一第二方向延伸的一断开栅极，其包含独立的一第一区块以及一第二区块，而将该第一条状半导体材料分成一第一源极端、一第一漏极端及一第一通道区；一第一介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该基材之间；一第一栅极介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该第一条状半导体材料之间；以及一第一电容单元，与该第一源极端电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭明宏，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：