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动态记忆体结构制造技术
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文档序号:8490815
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一种动态记忆体结构,至少包含基材、条状半导体材料、断开栅极、介电层、栅极介电层与电容单元。条状半导体材料位于基材上,并沿着第一方向延伸。断开栅极位于基材上并沿着第二方向延伸。断开栅极包含独立的第一区块以及第二区块,而将条状半导体材料分成源极...
该专利属于钰创科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过钰创科技股份有限公司授权不得商用。
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