内存模块制造技术

本申请提供一种内存模块，包含基板、第一内存单元以及第二内存单元。在第一内存单元的第一面上具有第一线路重布层。在第二内存单元的第二面上具有第二线路重布层。其中第二内存单元的第二面被翻转并经由多个微凸块被链接至第一内存单元的第一面，基板经由多个焊线电性连接第一线路重布层，第二线路重布层经由所述多个微凸块电性连接第一线路重布层。述多个微凸块电性连接第一线路重布层。述多个微凸块电性连接第一线路重布层。

【技术实现步骤摘要】
内存模块


[0001]本申请是关于一种内存模块，特别是关于一种以双芯片封装且能减少焊线的内存模块。

技术介绍

[0002]传统于封装内存芯片于内存模块的制造过程中，内存芯片会利用打线连接的方式连接到基板(所述基板可以是硅中介层、PCB基板或其他半导体芯片，例如逻辑芯片)，然后将内存芯片与基板用模封材料形成封装模块。请参考图1A和图1B，图1A和图1B分别为现有技术中封装模块的侧视示意图和俯视示意图。如图1A所示，现有的内存封装模块8具有内存芯片80和基板81，内存芯片80和基板81以打线连接，使得焊线810能够连接内存芯片80和基板81。
[0003]如图1B所示，内存芯片80包括位于内存芯片80的中心部分内的原始接垫800a(例如，地址接垫、数据I/O接垫、指令接垫)、线路重布层(re
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distribution layer，RDL)用于重拉原始接垫800a的布线，以及在内存芯片80的外围或边缘部分上的线路重布层接垫(或打线接垫)800b。线路重布层可以包括多个金属子层。线路重布层接垫(或打线接垫)800b是通过线路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内存模块，其特征在于，所述内存模块包含：一第一内存晶粒，具有一第一面以及与该第一面相对的一第三面，该第一面上形成有一第一线路重布层以及一第一原始电极组；一第二内存晶粒，具有一第二面以及与该第二面相对的一第四面，该第二面上形成有一第二原始电极组；一打线接垫组，设置于该第一内存晶粒的该第一面，该打线接垫组经由该第一线路重布层电性连接该第一原始电极组；以及多个焊线，以打线连接该打线接垫组；其中该第一内存晶粒链接该第二内存晶粒，该第一内存晶粒的该第一面面向该第二内存晶粒的该第二面，且该第二原始电极组电性连接该打线接垫组。2.根据权利要求1所述的内存模块，其特征在于，没有焊线以打线连接至该第二内存晶粒。3.根据权利要求1所述的内存模块，其特征在于，该第一内存晶粒的该第三面不具有任何线路重布层以及电极组，该第二内存晶粒的该第四面不具有任何线路重布层以及电极组。4.根据权利要求1所述的内存模块，其特征在于，该第一内存晶粒的该第一面设有一第一中转接垫组，且该第一中转接垫组经由该第一线路重布层电性连接该第一原始电极组。5.根据权利要求4所述的内存模块，其特征在于，该第二内存晶粒的该第二原始电极组链接该第一内存晶粒的该第一中转接垫组。6.根据权利要求1所述的内存模块，其特征在于，该第一内存晶粒的该第一面设有一第一中转接垫组，且该第一中转接垫组经由该第一线路重布层电性连接该第一原始电极组，该第二内存晶粒的该第二面设有一第二中转接垫组，且该第二中转接垫组经由一第二线路重布层电性连接该第二原始电极组。7.根据权利要求6所述的内存模块，其特征在于，该第二内存晶粒的该第二中转接垫组链接该第一内存晶粒的该第一中转接垫组。8.根据权利要求6所述的内存模块，其特征在于，该第二内存晶粒的该第二中转接垫组的排列位置与该第一内存晶粒的该第一中转接垫组的排列位置在一水平方向或一垂直方向上互为镜像。9.根据权利要求1所述的内存模块，其特征在于，该打线接垫组的数据宽度相同于该第一原始电极组的数据宽度，也相同于该第二原始电极组的数据宽度。10.根据权利要求1所述的内存模块，其特征在于，该打线接垫组的数据宽度为该第一原始电极组的数据宽度与该第二原始电极组的数据宽度的总和。11.一种内存模块，其特征在于，所述内存模块包含：一第一内存单元，具有一第一面，该第一面上设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏濬，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：