一种大容量立体堆叠的DDR3微组件内存模组制造技术

本发明专利技术公开

【技术实现步骤摘要】
一种大容量立体堆叠的DDR3微组件内存模组


[0001]本专利技术涉及半导体存储
，特别涉及一种大容量立体堆叠的DDR3微组件内存模组。

技术介绍

[0002]内存是计算机的重要部件，用于暂时存放CPU中的运算数据、与硬盘等外部存储器(即外存)交换数据；它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平，并且内存通常以独立的封装形式出现，即内存条。
[0003]目前的内存条主要是DDRSDRAM(DoubleDataRatesynchronous dynamicrandom
‑
accessmemory)类型，为双倍速率同步动态随机存取存储器。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDRSDRAM则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。内存条常见接口形式为SIMM单列直插内存条和DIMM双列直插内存条。内存的运行决定计算机整体运行的快慢，现在常用的内存为DDR3内存条，DDR3颗粒数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大容量立体堆叠的DDR3微组件内存模组，其特征在于，包括1颗DDR3微组件、PCB基板、三个插座以及若干个电阻电容；所述DDR3微组件和三个插座焊接在所述PCB基板的背面，若干个电阻电容均焊接在所述PCB基板的正面和背面；所述DDR3微组件的信号连接到所述PCB基板和三个插座上，所述三个插座分别为第一插座、第二插座和第三插座，每个插座60针。2.如权利要求1所述的大容量立体堆叠的DDR3微组件内存模组，其特征在于，所述DDR3微组件包括塑封基板、绝缘胶、n个第一DDR3芯片、n
‑
1个第二DDR3芯片、金丝、塑封体和焊球，n为不小于2的整数；一个第一DDR3芯片通过金丝以键合的方式与所述塑封基板建立电气连接，并使用绝缘胶粘接在所述塑封基板上；一个第二DDR3芯片以堆叠的方式通过绝缘胶粘接所述第一DDR3芯片上，再通过金丝以键合的方式与塑封基板建立电气连接...以此类推，第一DDR3芯片和第二DDR3芯片交叠设置；所述塑封体将绝缘胶、第一DDR3芯片、第二DDR3芯片和金丝塑封在所述塑封基板上，所述焊球设置在所述塑封基板的底部；n个第一DDR3芯片通过再布线工艺将焊盘扇出至左边，n
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1个第二DDR3芯片通过再布线工艺将焊盘扇出至右边。3.如权利要求2所述的大容量立体堆叠的DDR3微组件内存模组，其特征在于，所述DDR3微组件包括3个第一DDR3芯片和2个第二DDR3芯片，即5个裸片Die分别为裸片Die0、裸片Die1、裸片Die2、裸片Die3和裸片Die4；所述裸片Die0引出数据线DDR_DQ[0:15]到第一插座，所述裸片Die1引出数据线DDR_DQ[16:31]到第一插座，所述裸片Die2引出数据线DDR_DQ[32:47]到第三插座，所述裸片Die3引出数据线DDR_DQ[48:63]到第三插座，所述裸片Die4引出数据线DDR_DQ[64:71]到第三插座，所述数据线DDR_DQ[64:71]能够实现错误检查和纠正；所述裸片Die4的数据线DDR_DQ[72:79]引出到DDR3微组件的焊球上，根据需要确定是否将其引出到第三插座。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：石梦诗，丁涛杰，郑利华，毛臻，顾林，余国良，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：