形成微电子装置的方法及用于微电子装置的相关基底结构制造方法及图纸

一种形成微电子装置的方法包括：在基底材料的基本上整个外围周围形成源极材料；以及从所述基底材料的横向侧移除所述源极材料，同时在所述基底材料的上部表面及下部表面上维持所述源极材料。还描述用于微电子装置的相关方法及基底结构。法及基底结构。法及基底结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成微电子装置的方法及用于微电子装置的相关基底结构
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张于2020年6月18日申请的第16/905,734号美国专利申请案的申请日的权益，所述美国专利申请案与针对“微电子装置及相关方法、存储器装置以及电子系统(MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED METHODS,MEMORY DEVICES,AND ELECTRONIC SYSTEMS)”、将Kunal R.Parekh列为专利技术人、于2020年6月18日申请的第16/905,385号美国专利申请案有关。本申请案还与针对“形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器掩模、电子系统以及额外方法(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES,MEMORY DEVICES,ELECTRONIC SYSTEMS,AND ADDITIONAL METHODS)”、将Kunal R.Parekh列为专利技术人、于2020年6月18日申请的第16/905,452号美国专利申请案有关。本申请案还与针对“形成微电子装置的方法及相关微电子装置以及电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”、将Kunal R.Parekh列为专利技术人、于2020年6月18日申请的第16/905,698号美国专利申请案有关。本申请案还与针对“形成微电子装置的方法及相关微电子装置以及电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”、将Kunal R.Parekh列为专利技术人、于2020年6月18日申请的第16/905,747号美国专利申请案有关。本申请案还与针对“形成微电子装置的方法及相关微电子装置以及电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”、将Kunal R.Parekh列为专利技术人、于2020年6月18日申请的第16/905,763号美国专利申请案有关。前述文献中的每一者的公开内容特此以全文引用的方式并入本文中。


[0003]在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造的领域。更特定来说，本公开涉及形成用于微电子装置的基底结构的方法、形成微电子装置的方法及用于微电子装置的相关基底结构。

技术介绍

[0004]微电子装置设计者常常需要通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分隔距离来提高微电子装置内的特征的集成或密度的层级。另外，微电子装置设计者常常需要设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。
[0005]微电子装置的一个实例为存储器装置。存储器装置通常经提供为计算机或电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含(但不限于)非易失性存储器装置(例如，反和门快闪存储器装置)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式为利用竖直存储器阵列(也被称作“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含竖直存储器字串，其延伸穿过包含具有导电结构与介电材料的层级的一或多个层面(例如，堆
叠结构)中的开口。每一竖直存储器串可包含至少一个选择装置，其串联耦合到竖直堆叠的存储器单元的串联组合。相较于运用常规平坦(例如，二维)晶体管布置的结构，此配置通过在裸片上向上(例如，竖直地)建构阵列来准许较大数目个开关装置(例如，晶体管)被定位在裸片区域单位中(即，所消耗的活性表面的长度及宽度)。
[0006]位于存储器装置(例如，非易失性存储器装置)的存储器阵列下方的基底控制逻辑结构内的控制逻辑装置已用以控制存储器装置的存储器单元上的操作(例如，存取操作、读取操作、写入操作)。控制逻辑装置的组合件可经提供为借助于布线及互连结构与存储器阵列的存储器单元电连通。然而，用于在基底控制逻辑结构上方形成存储器阵列的处理条件(例如，温度、压力、材料)可限制基底控制逻辑结构内的控制逻辑装置的配置及性能。另外，用于基底控制逻辑结构内的不同控制逻辑装置的数量、尺寸及布置也可能不合需要地妨碍存储器装置的大小(例如，水平覆盖面积)的减小，及/或存储器装置的性能的改进(例如，较快存储器单元接通/断开速度、较低临限切换电压要求、较快数据传送速率、较低功率消耗)。此外，随着存储器阵列的密度及复杂度增大，逻辑控制装置的复杂度也增大。存储器阵列的增大的密度增大了在存储器阵列的组件与逻辑控制装置的组件之间形成导电接触的困难。

技术实现思路

[0007]在一些实施例中，一种形成微电子装置的方法包括：在基底材料的基本上整个外围周围形成源极材料；以及从所述基底材料的横向侧移除所述源极材料，同时在所述基底材料的上部表面及下部表面上方维持所述源极材料。
[0008]在其它实施例中，一种形成微电子装置的方法包括：在基底材料上方形成经掺杂半导电材料；在所述经掺杂半导电材料上方形成绝缘材料；在所述绝缘材料中形成开口且经由所述开口暴露所述经掺杂半导电材料；以及从所述经掺杂半导电材料外延地生长额外半导电材料以填充所述开口且覆盖所述绝缘材料。
[0009]在其它实施例中，一种用于微电子装置的基底结构包括：基底材料，其包括半导电材料、陶瓷材料及玻璃材料中的一或多者；以及经掺杂半导电材料，其上覆所述基底材料的上部表面且在所述基底材料的下部表面下方，插置于所述基底材料的所述上部表面与所述下部表面之间的所述基底材料的侧表面基本上不含所述经掺杂半导电材料。
[0010]在其它实施例中，一种用于微电子装置的基底结构包括：基底材料，其包括半导电材料、陶瓷材料及玻璃材料中的一或多者；在所述基底材料上的经掺杂半导电材料；在所述经掺杂半导电材料上的介电材料；经填充开口，其经由介电材料延伸到所述经掺杂半导电材料；以及外延半导电材料，其基本上填充所述经填充开口且覆盖所述介电材料的在所述经填充开口的外部的表面。
[0011]在额外实施例中，一种用于微电子装置的基底结构包括：基底材料，其包括半导电材料、陶瓷材料及玻璃材料中的一或多者；经掺杂多晶硅，其在所述基底材料的第一侧上且在所述基底材料的第二相对侧上；以及介电材料，其邻近于在所述基底材料的所述第一侧及所述第二相对侧中的一者上的所述经掺杂多晶硅的侧表面。
附图说明
[0012]图1A到图1D为根据本公开的实施例的说明形成基底结构的方法的简化截面图；
[0013]图2A到图2C为根据本公开的实施例的说明形成基底结构的方法的简化截面图；
[0014本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在基底材料的基本上整个外围周围形成源极材料；以及从所述基底材料的横向侧移除所述源极材料，同时在所述基底材料的上部表面及下部表面上维持所述源极材料。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述基底材料的基本上所述整个外围周围形成所述源极材料之前在所述基底材料上形成蚀刻终止材料。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：选择所述基底材料以包括半导电材料；以及选择所述蚀刻终止材料以包括介电材料。4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：选择所述基底材料以包括硅；以及选择所述蚀刻终止材料以包括二氧化硅。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在从所述基底材料的所述横向侧移除所述源极材料之后在源极材料的剩余部分的横向侧上形成保护性材料。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述基底材料以包括以下各者中的一或多者：单晶硅、多晶硅、硅锗、锗、砷化镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、氮化铟镓及氮化铝镓。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述源极材料以包括经掺杂多晶硅。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述基底材料以包括陶瓷材料。9.根据权利要求8所述的方法，其中选择所述基底材料以包括陶瓷材料包括选择所述基底材料以包括聚氮化铝上硅。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括选择所述基底材料以包括玻璃材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中选择所述基底材料以包括玻璃材料包括选择所述基底材料以包括硼硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃、铝硅酸盐玻璃、碱土硼硅酸盐玻璃、石英、二氧化钛硅酸盐玻璃及钠钙玻璃中的一或多者。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其进一步包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述源极材料上的一系列竖直交错的导电结构与绝缘结构；在所述堆叠结构内形成竖直延伸的存储器单元串以形成第一微电子装置结构；将所述第一微电子装置结构附接到包括控制逻辑电路系统的第二微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件；在形成所述微电子装置结构组合件之后移除所述基底材料；以及在移除所述基底材料之后形成与所述源极材料电连通的电路系统。13.根据权利要求12所述的方法，其中移除所述基底材料包括研磨及湿式蚀刻所述基底材料中的一或多者。14.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在基底材料上形成经掺杂半导电材料；在所述经掺杂半导电材料上形成绝缘材料；在所述绝缘材料中形成开口且经由所述开口暴露所述经掺杂半导电材料；以及
从所述经掺杂半导电材料外延地生长额外半导电材料以填充所述开口且覆盖所述绝缘材料。15.根据权利要求14所述的方法，其中在基底材料上形成经掺杂半导电材料包括形成所述经掺杂半导电材料以包括经掺杂的所述基底材料的半导电材料及分散于所述半导电材料内的一或多种掺杂物。16.根据权利要求14或权利要求15所述的方法，其进一步包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述额外半导电材料上的一系列竖直交错的导电结构与绝缘结构；在所述堆叠结构内形成竖直延伸的存储器单元串以形成第一微电子装置结构；将所述第一微电子装置结构耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：