对建模边信道攻击的预防制造技术

技术编号:41454015 阅读:24 留言:0更新日期:2024-05-28 20:41
本文所述的实施方案涉及预防建模边信道攻击。主机装置可以获得基于多个密钥和第一存储器装置的一或多个特性的第一建模配置,并且可以获得基于所述多个密钥和第二存储器装置的一或多个特性的第二建模配置。所述主机装置可以基于所述第一建模配置和所述第二建模配置而生成模型。所述主机装置可以使用所述模型发起或执行建模边信道攻击。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及存储器装置、存储器装置操作,并且例如涉及预防建模边信道攻击(profiled side channel attack)。


技术介绍

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息。存储器装置包含存储器单元。存储器单元是能够被编程为两个或更多个数据状态中的某一数据状态的电子电路。例如,存储器单元可编程为表示单个二进制值的数据状态,通常由二进制“1”或二进制“0”表示。作为另一实例,存储器单元可以编程为表示小数值的数据状态(例如,0.5、1.5等)。为了存储信息,电子装置可以写入或编程一组存储器单元。为了存取所存储的信息,电子装置可以从所述一组存储器单元读取或感测所存储的状态。

2、存在各种类型的存储器装置,包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、静态ram(sram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、全息ram(hram)、快闪存储器(例如,nand存储器和nor存储器)等等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。即使在没有外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种主机装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的主机装置,其中为了获得所述第一建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述多个密钥中的第一密钥、所述多个密钥中的第二密钥和所述第一存储器装置的所述一或多个特性的第一建模配置,并且其中为了获得所述第二建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述第一密钥、所述第二密钥和所述第二存储器装置的所述一或多个特性的第二建模配置。

3.根据权利要求1所述的主机装置,其中为了获得所述第一建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述多个密钥中的第一密钥和所述第一存储器装置的所述一或多个特性的所述第一建模配置的第一部分及基于所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种主机装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的主机装置,其中为了获得所述第一建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述多个密钥中的第一密钥、所述多个密钥中的第二密钥和所述第一存储器装置的所述一或多个特性的第一建模配置,并且其中为了获得所述第二建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述第一密钥、所述第二密钥和所述第二存储器装置的所述一或多个特性的第二建模配置。

3.根据权利要求1所述的主机装置,其中为了获得所述第一建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述多个密钥中的第一密钥和所述第一存储器装置的所述一或多个特性的所述第一建模配置的第一部分及基于所述第一密钥、所述多个密钥中的第二密钥和所述第一存储器装置的所述一或多个特性的所述第一建模配置的第二部分,并且其中为了获得所述第二建模配置,所述一或多个组件配置成获得基于所述第一密钥和所述第二存储器装置的所述一或多个特性的所述第二建模配置的第一部分及基于所述第一密钥、所述第二密钥和所述第二存储器装置的所述一或多个特性的所述第二建模配置的第二部分。

4.根据权利要求3所述的主机装置,其中为了获得所述第一建模配置,所述一或多个组件进一步配置成获得基于所述第一密钥、所述第二密钥、所述多个密钥中的第三密钥和所述第一存储器装置的所述一或多个特性的所述第一建模配置的第三部分,并且其中为了获得所述第二建模配置,所述一或多个组件进一步配置成获得基于所述第一密钥、所述第二密钥、所述第三密钥和所述第二存储器装置的所述一或多个特性的所述第二建模配置的第三部分。

5.根据权利要求1所述的主机装置,其中所述一或多个组件进一步配置成获得基于所述多个密钥和第三存储器装置的一或多个特性的第三建模配置,并且其中为了生成所述模型,所述一或多个组件配置成基于所述第一建模配置、所述第二建模配置和所述第三建模配置而生成所述模型。

6.根据权利要求1所述的主机装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

7.根据权利要求1所述的主机装置,其中所述第一建模配置和所述第二建模配置基于所述多个密钥中的相同密钥。

8.根据权利要求1所述的主机装置,其中所述第一建模配置基于所述多个密钥中的第一组密钥,且所述第二建模配置基于所述多个密钥中的第二组密钥,其中所述第二组密钥包含所述第一组密钥中不包含的至少一个密钥。

9.一种由...

【专利技术属性】
技术研发人员:N·伊佐D·卡拉乔L·卡斯泰拉齐
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1