具有各种不同厚度的栅极氧化物的FinFET及相关设备、方法及计算系统技术方案

公开具有各种不同厚度的栅极氧化物的鳍式场效应晶体管(FinFET)及相关设备、方法及计算系统。一种设备包含第一FinFET、第二FinFET及第三FinFET。所述第一FinFET包含第一栅极氧化物材料、第二栅极氧化物材料及第三栅极氧化物材料。所述第二FinFET包含所述第二栅极氧化物材料及所述第三栅极氧化物材料。所述第三FinFET包含所述第三栅极氧化物材料。一种方法包含：在第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片上形成第一栅极氧化物材料；将所述第一栅极氧化物材料从所述第二鳍片及所述第三鳍片移除；在所述第一鳍片、所述第二鳍片及所述第三鳍片上形成第二栅极氧化物材料；及将所述第二栅极氧化物材料从所述第三鳍片移除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开大体上涉及具有可变厚度的栅极氧化物及/或可变鳍片高度的鳍式场效应晶体管(finfet)。

技术介绍

1、半导体装置中对越来越小及/或越来越密集装置的需求促使半导体装置制造商将平面晶体管中的栅极长度减小到难以防止泄漏电流的程度。施加于这些平面晶体管的栅极端子的电压电势不足以防止与栅极端子的材料相距较远的活性材料中的泄漏电流，因为这些平面晶体管中的栅极端子通常定位于活性材料的仅一侧处。相比之下，finfet在活性材料的两侧或更多侧处包含栅极材料。因此，施加于finfet的栅极端子的电压电势可能影响基本上整个活性材料。因此，与平面晶体管相比，finfet通常具有减少泄漏电流，因为活性材料至少部分由栅极材料包围。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种设备包含第一finfet、第二finfets及第三finfets。所述finfet包含第一栅极氧化物材料、第二栅极氧化物材料及第三栅极氧化物材料。所述第二finfet包含所述第二栅极氧化物材料及所述第三栅极氧化物材料。所述第二finfet基本上没有所述第一栅极氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极氧化物材料是原位蒸汽产生(ISSG)氧化物材料。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二栅极氧化物材料是原子层沉积(ALD)氧化物材料。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三栅极氧化物材料包含高介电常数(高k)介电材料。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第三FinFET的所述第三栅极氧化物材料还包含所述高k介电材料与所述第二氧化物材料之间的界面层(IL)氧化物。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述第一FinFET的第一鳍片...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极氧化物材料是原位蒸汽产生(issg)氧化物材料。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二栅极氧化物材料是原子层沉积(ald)氧化物材料。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三栅极氧化物材料包含高介电常数(高k)介电材料。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第三finfet的所述第三栅极氧化物材料还包含所述高k介电材料与所述第二氧化物材料之间的界面层(il)氧化物。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述第一finfet的第一鳍片高度小于所述第二finfet的第二鳍片高度及所述第三finfet的第三鳍片高度。

7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中：

8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中：

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一栅极氧化物比所述第二栅极氧化物及所述第三栅极氧化物更厚。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二栅极氧化物比所述第三栅极氧化物更厚但比所述第一栅极氧化物更薄。

11.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述第一鳍片、所述第二鳍片及所述第三鳍片上形成所述第一栅极氧化物材料包含在所述第一鳍片、所述第二鳍片及所述第三鳍片上形成原位蒸汽产生(issg)氧化物材料。

13.根据权利要求11所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·S·杨，金炳鈗，Y·M·杨，西瓦尼·斯里瓦斯塔瓦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：