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公开具有各种不同厚度的栅极氧化物的鳍式场效应晶体管(FinFET)及相关设备、方法及计算系统。一种设备包含第一FinFET、第二FinFET及第三FinFET。所述第一FinFET包含第一栅极氧化物材料、第二栅极氧化物材料及第三栅极氧化物材...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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