一种封装结构以及封装方法技术

本申请实施例涉及半导体封装领域，提供一种封装结构以及封装方法，一种封装结构包括：第一金属层以及第二金属层，第一金属层位于电路区的第一面，第二金属层位于支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，第三金属层位于电路区的第二面且与导电结构电连接，第四金属层位于支撑区的第二面；其中，至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个半导体结构的第一面与其相邻的另一半导体结构的第二面正对，且半导体结构的第一金属层与处于相邻层的半导体结构的第三金属层接触键合，半导体结构的第二金属层与处于相邻层的半导体结构的第四金属层接触键合，可以解决集成电路中热问题。可以解决集成电路中热问题。可以解决集成电路中热问题。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构以及封装方法


[0001]本申请实施例涉及集成电路封装领域，特别涉及一种封装结构以及封装方法。

技术介绍

[0002]集成电路封装是集成电路
的重要生产环节，近年来计算机、通信相关技术的发展，对集成电路封装技术提出了更高的要求，即更小、更薄、更轻、更可靠、多功能、低功耗和低成本。在二维组装密度已经达到理论最大值的情况下，更高密度的三维立体堆叠封装技术(3D封装)开始发展起来。
[0003]3D封装是在二维立体堆叠封装(2D
‑
MCM)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术，采用三维(x、y、z方向)结构形式对IC芯片进行三维集成的技术。常规的3D封装是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种封装结构以及封装方法，至少有利于解决集成电路的热问题。
[0005]根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种封装结构，包括：至少两个堆叠设置的半导体结构，每一所述半导体结构包括相对的第一面和第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：至少两个堆叠设置的半导体结构，每一所述半导体结构包括相对的第一面和第二面，且所述半导体结构包括电路区以及支撑区，所述电路区的所述半导体结构内具有导电结构；所述半导体结构还包括：第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层位于所述电路区的第一面，所述第二金属层位于所述支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，所述第三金属层位于所述电路区的第二面且与所述导电结构电连接，所述第四金属层位于所述支撑区的第二面；其中，所述至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个所述半导体结构的所述第一面与其相邻的另一所述半导体结构的所述第二面正对，且所述半导体结构的第一金属层与处于相邻层的所述半导体结构的第三金属层接触键合，所述半导体结构的第二金属层与处于相邻层的所述半导体结构的第四金属层接触键合。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，位于所述支撑区的所述第二金属层为整面连续膜层；位于所述支撑区的所述第四金属层为整面连续膜层。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个间隔排布的所述第一金属层，且在沿所述支撑区以及所述电路区的排布方向上，相邻的所述第一金属层之间间距与所述第一金属层的宽度的比例范围为1/12～3/4。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，在沿所述支撑区以及所述电路区的排列方向上，所述第一金属层的宽度范围为40um～60um。5.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，在沿所述支撑区以及所述电路区的排列方向上，相邻的所述第一金属层之间的间距范围为5um～30um。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第三金属层在所述第一面的正投影位于与所述第三金属层接触键合的第一金属层在所述第一面的正投影内部。7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属层的材料与所述第二金属层的材料相同。8.如权利要求1或7所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铜、铝或者钨。9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第一金属层的厚度与所述第三金属层的厚度相同。10.如权利要求1或9所述的封装结构，其特征在于，在沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第一金属层的厚度为1μm～100μm。11.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电结构凸出于所述电路区的所述第二面；所述半导体结构还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述电路区的所述第二面，且所述绝缘层还位于凸出的所述导电结构的侧面，所述第三金属层位于所述绝缘层表面。12.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层包括：第一介质层，所述第一介质层位于所述电路区的所述第二面上，且所述第一介质层还位于所述凸出的所述导电结构的侧面；第二介...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小璇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：