接触孔的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种接触孔的制造方法，包括：提供一基底，对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔，对所述接触孔执行预烘干，对预烘干后的接触孔执行金属填充。在本发明专利技术提供的接触孔的制造方法中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物（Condense）。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种。
技术介绍
随着集成电路产业的发展，器件的外形尺寸不断缩小，从而对集成电路制造工艺要求越来越高。集成电路生产工艺也从早期的0.8微米、0.6微米线宽一直发展到今天的45纳米、40纳米线宽。所谓线宽一般是指栅极的宽度。因为线宽越小，晶体管也越小，让晶体管工作需要的电压和电流就越低，晶体管开关的速度也就越快，晶体管的性能也就更好。 集成电路制造过程中一般包括接触孔刻蚀工艺和金属填充过程，其目的是在两层互连金属线之间的膜层中刻蚀出一系列接触孔，然后在接触孔里面填入用于两层金属线间的互连金属，比如铜，通过这些金属线把成千上万的晶体管连成具有一定功能的器件。随着器件尺寸的缩小，接触孔的尺寸也越来越小。接触孔刻蚀的难度也越来越大。一旦出现接触孔刻蚀缺陷，比如接触孔刻蚀不到位或者刻蚀后接触孔堵塞就可能使得金属布线开路，导致器件失效。 在45纳米、40纳米小线宽工艺过程中发现，30%的生产批次会出现接触孔刻蚀缺陷，造成约17%的产品不良，严重影响了产品良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以解决现有的45纳米、40纳米小线宽工艺中因接触孔刻蚀缺陷造成器件失效，导致产品良率低的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，所述包括以下步骤: 提供一基底； 对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔； 对所述接触孔执行预烘干； 对预烘干后的接触孔执行金属填充。 可选的，在所述的中，所述预烘干的温度为100°C?300°C。 可选的，在所述的中，所述预烘干的时间为10秒?600秒。 可选的，在所述的中，执行所述金属填充所使用的材料为铜。 可选的，在所述的中，所述接触孔刻蚀采用两层掩膜层，其中第一层掩膜层是NFC，第二层掩膜层是LT0。 可选的，在所述的中，在执行金属填充之前，在执行预烘干之后,还包括执行浅槽刻蚀,形成浅槽。 可选的，在所述的中，所述浅槽刻蚀采用两层掩膜层，其中第三层掩膜层是NFC，第四层掩膜层是LT0。 可选的，在所述的中，在同一个工艺步骤中执行所述预烘干和涂布第三层掩膜层NFC。 专利技术人发现，造成现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程中发生接触孔刻蚀缺陷的原因在于，在接触孔刻蚀工艺过程中易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内，易挥发性有机聚合物(Condense)遮挡了接触孔下面的膜层刻蚀，导致填充在接触孔中的金属层与基底中的金属层无法导通，造成器件的金属布线开路，最终使得器件失效。在本专利技术提供的中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物(Condense)。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。 【附图说明】 图1是现有技术中执行接触孔刻蚀后的器件的结构示意图； 图2是现有技术中执行金属填充后的器件的结构示意图； 图3是本专利技术实施例一的的流程图； 图4是本专利技术实施例二的的流程图； 图5是本专利技术实施例的接触孔刻蚀前的器件的结构示意图； 图6是本专利技术实施例一的执行金属填充后的器件的结构示意图； 图7是本专利技术实施例二的执行金属填充过程后的器件的结构示意图； 图8是现有技术中接触孔刻蚀缺陷的测试结果； 图9是为本专利技术实施例的接触孔刻蚀缺陷的测试结果。 【具体实施方式】 以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。 现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程发现接触孔刻蚀缺陷发生率很高，经常导致金属布线开路使得器件失效。专利技术人对此进行了深入的研究，发现造成现有的接触孔刻蚀缺陷的原因在于，45纳米、40纳米小线宽的工艺过程中形成的接触孔的深宽比很大，接触孔刻蚀工艺过程中产生的易挥发性有机聚合物(Condense)容易凝结在接触孔内。请参考图1，其为现有技术中执行接触孔刻蚀后的器件的结构示意图，如图1所示，接触孔刻蚀完成后，易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内。这种易挥发性有机聚合物(Condense )需要强电子束、烘烤或者酸液清洗才能除去。 凝结在接触孔内的易挥发性有机聚合物(Condense)如果没有及时清除，会影响后续工艺过程，如图1所示，易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内，遮住了其下面的NDC绝缘层，导致这个位置的NDC绝缘层没有被刻蚀掉。金属填充后，接触孔内填充的金属铜与基底中的金属铜无法导通。该位置的金属布线开路(Open)，导致器件失效。具体请参考图2，其为现有技术中执行金属填充后的器件的结构示意图，如图2所示，完成金属填充后，在没有凝结易挥发性有机聚合物(Condense)的接触孔内，填充的金属层与基底中的金属层导通，而在之前凝结有易挥发性有机聚合物(Condense)的接触孔内，填充的金属层与基底中的金属层不导通。 综上，造成现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程中接触孔刻蚀缺陷的原因在于，易挥发性有机聚合物(Condense)凝结在接触孔内，导致器件的金属布线开路，器件失效。虽然，在接触孔刻蚀之后进行湿法清洗工序，也能够除去易挥发性有机聚合物(Condense)，避免产生接触孔刻蚀缺陷，但是会增加工艺时间和制造成本。目前，接触孔刻蚀后一般不进行湿法清洗。 为了解决上述问题，本申请提出了如下技术方案: 【实施例一】 请参考图3，其为本专利技术实施例一的的流程图。如图3所示，所述I包括以下步骤: 提供一基底100 ； 对所述基底100执行接触孔刻蚀，形成接触孔； 对所述接触孔执行预烘干； 对预烘干后的接触孔执行金属填充。 具体的，请参考图5，其为本专利技术实施例的接触孔刻蚀前的器件的结构示意图，如图5所示，提供的基底100上具有绝缘层和金属层110，其中，金属层110所使用的材料是铜(Cu)，绝缘层中包括NDC绝缘层，NDC绝缘层覆盖在金属层110的上面。接着，在所述基底100上进行NFC涂布，NFC涂布之烘干后形成第一层掩膜层NFC。然后，通过低温化学气相沉积法形成Si02膜，即第二层掩膜层LT0。如图5所示，所述基底100上依次形成了第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LT0。在所述基底100上依次形成第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LTO之后，利用第一层掩膜层NFC和第二层掩膜层LTO进行接触孔刻蚀形成接触孔。 对基底100执行接触孔刻蚀时，一般会保留金属层110上面的NDC绝缘层，接触孔刻蚀所形成的接触孔的下面依次是NDC绝缘层和金属层110。为除去接触孔内的易挥发性有机聚合物(Condense)，接触孔刻蚀完成后需要对接触孔执行预烘干，预烘干结束后再除去接触孔下面的NDC绝缘层，最后对所述接触孔执行金属填充。接触孔刻蚀也可以不保留NDC绝缘层，直接刻蚀到金属层110，接触孔刻蚀形成的接触孔的下面是金属层110。接触孔刻蚀完成后执行预烘干，之后直接进行金属填充。请参考图6，其为本专利技术实施例一的执行金属填充后的器件的结构示意图，如图6所示，接触孔内形成了第二金属层120，第二金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔；对所述接触孔执行预烘干；对预烘干后的接触孔执行金属填充。

【技术特征摘要】
1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底； 对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔； 对所述接触孔执行预烘干； 对预烘干后的接触孔执行金属填充。2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述预烘干的温度为100°C?300。。。3.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述预烘干的时间为10秒?600 秒。4.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，执行所述金属填充所使用的材料为铜。5.如权利要求1所述的接触孔的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟鑫生，严凯，丁超，张英男，李斌生，孙超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31