存储器单元、数据存储装置以及形成存储器单元的方法制造方法及图纸

本公开提供一种存储器单元，其包括设置在第一导体与第二导体之间的电阻式存储器元件，所述第一导体和第二导体被配置为激活所述电阻式存储器元件。所述存储器单元还包括与所述存储器元件并联地设置在所述第一导体与第二导体之间的二极管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】
技术介绍
交叉点(crosspoint)存储器阵列是设置在两组导体之间的存储器单元的阵列，这两组导体在存储器单元的相对侧上正交地延伸。设置在存储器单元的一侧上的第一组导体可称为字线，而设置在存储器单元的另一侧上的第二组导体可称为位线。多层交叉点存储器阵列可包括在字线层与位线层之间交替的若干存储器单元层。交叉点存储器阵列中的每个存储器单元设置于单条字线和单条位线的交叉点处。可通过激活与存储器单元相关联的字线和位线来实现对阵列内的单个存储器单元的选择，以用于读取或写入存储器单元。对存储器单元写入数据可包含将电压脉冲施加到选择的存储器单元以改变存储器单元的电阻状态。可通过将读取电压施加到选择的存储器单元并且测量经由选择的存储器单元的产生的电流来实现对选择的存储器单元的读取。【附图说明】在以下详细说明中将参照附图描述某些实施例，附图中；图1是数据存储装置的一示例的框图；图2是在置位(set)操作期间的存储器单元的电路图；图3是在复位(reset)操作期间的存储器单元的电路图；图4是可用于存储器单元的示例性二极管的电流-电压示意图；图5是交叉点阵列的一部分的透视图，其示出了包括存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器单元，包括：电阻式存储器元件，设置在第一导体与第二导体之间，所述第一导体和所述第二导体被配置为激活所述电阻式存储器元件；以及二极管，与所述存储器元件并联地设置在所述第一导体与所述第二导体之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：布伦特·埃德加·布坎南，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：发明
国别省市：美国;US