【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
相变存储器(PCRAM,Phase Change Random Access Memory)是在 CMOS 集成电路基础上发展起来的新一代非挥发固态半导体存储器。其关键材料是可记录的相变材料、加热电极材料、绝热材料和顶电极材料。相变存储器的基本原理是利用电脉冲信号作用于器件单元上，使相变材料在非晶态的高阻和多晶态的低阻之间发生可逆相变，利用高低阻值的差异来实现数字信息的存储。相变存储器由于具有高速、高密度、高擦写循环次数、非易失性、低功耗以及与现有CMOS工艺兼容性好等优点，被认为最有可能取代目前的闪存存储器而成为未来存储器主流产品和最先成为商用产品的器件。作为下一代的主流存储器，提高工艺和器件的可靠性尤为重要。其中相变存储器的重要存储媒介一相变材料稳定性一直是关注的焦点，在生产加工时也会出现各种各样的问题，例如相变单元中的相变电阻在不同的连接情况下，会有着何种情况的发生。本专利技术寻求一种简单易行的检测方法，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺过程中偏压影响的差异，进而优化工艺参数，提高相...
【技术保护点】
一种相变存储器检测结构，其特征在于，所述相变存储器检测结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高丹，刘波，宋志棠，詹奕鹏，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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