光电子器件制造技术

光电子器件（1000）具有：半导体芯片（40），和至少部分地围绕半导体芯片（40）的荧光材料（44）。半导体芯片（40）在主波长小于约465nm的情况下发射短波的蓝色光谱范围中的初级辐射。在主波长在约490nm至约550nm之间的情况下荧光材料（44）将初级辐射的至少一部分转变成绿色光谱范围中的长波的次级辐射。由初级辐射和次级辐射构成的混合光具有波长在约460nm至约480nm之间的主波长。混合光的光通量比没有发光材料（44）具有460nm至480nm之间范围中的相等主波长的光电子器件情况下的光通量大高达130%。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电子器件，其具有用于发射电磁辐射的半导体芯片和用于波长转换的荧光材料。
技术介绍
由现有技术已知具有半导体芯片的光电子器件，所述光电子器件发射具有波长小于约480nm的蓝色光谱范围中的电磁辐射。为了达到高的流明值，半导体芯片必须发射尽可能长波的电磁辐射。这所具有的缺点是，随着波长的增加，在蓝色光谱范围中发射的半导体芯片的辐射功率剧烈下降。
技术实现思路
本专利技术的任务是，说明一种光电子器件，其包含具有高辐射功率的半导体芯片并且同时发射长波的蓝色光谱范围中的光。该任务通过根据权利要求I的光电子器件来解决。该光电子器件的扩展方案和有利构型在从属权利要求中说明。示例性的实施例不同的实施方式具有光电子器件，该光电子器件具有载体和至少一个半导体芯片。半导体芯片至少部分地被突光材料围绕。半导体芯片在主波长小于约465nm的情况下发射短波的蓝色光谱范围中的初级辐射。在主波长在约490nm至约550nm之间的情况下，本专利技术荧光材料将初级辐射的至少一部分转变成绿色光谱范围中的长波的次级辐射。 由此产生由初级福射和次级福射构成的主波长在约460nm至约480nm之间的混合光。混合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K格罗泽，T巴德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：