本公开提供一种半导体封装件及其制备方法。该半导体封装件包括一下半导体层、一上半导体层、一固定结构以及一模塑层。该下半导体层具有一贴合区以及一固定区，该固定区邻近该贴合区设置。该上半导体层配置在该贴合区上。该固定结构邻近该上半导体层配置。...

本发明提供一种形成浅沟渠结构的方法，该方法包含：提供一基板；形成一图案化光阻层于所述基板上；以所述图案化光阻层为罩幕，进行蚀刻，形成浅沟渠结构于所述基板；及进行电浆处理，将四氟化碳及氧气的混合气体产生的电浆施加在具有所述浅沟渠结构的所述...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法。在半导体结构中，至少在基底中接触沟渠的侧壁上形成接触窗间隙壁，因此金属硅化物层只会位于接触沟渠底面上，而不会位于接触沟渠的侧壁上。使得栅极与金属硅化物层之间的距离可以增加，而能减少因栅极诱导而生的漏...

本公开提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括一第一晶粒、一第二晶粒以及设置在该第一晶粒和该第二晶粒之间一混合接合结构。该第一晶粒包括一第一前侧及相对于该第一前侧的一第一背侧。该第二晶粒包括一第二前侧及相对于该第二前侧的一第二背侧。...

本公开提供一种互连结构及其制备方法。该互连结构包括一第一连接线、一第二连接线以及一连接通孔。该第二连接线设置在该第一连接线的上方。该连接通孔设置在该第一连接线和该第二连接线之间的一介电结构内，并且电连接该第一连接线和该第二连接线。该连接...

本发明提供一种半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法。半导体封装包括半导体晶粒、包封体以及包封体穿孔。半导体晶粒包括半导体基底、内连线层与半导体贯孔。半导体基底具有彼此相对的主动面与背侧表面。内连线层设置于半导体基底的主动面上。半导体贯...

本公开提供一种半导体基底及其制备方法。该半导体基底包括：一基部、至少一平台、至少一突起、一绝缘层、一盖层以及一钝化层。该至少一平台从该基部的一上表面延伸；该至少一突起连接到该至少一平台；该绝缘层设置在该至少一突起的上方；该盖层设置在该绝...

本公开提供一种半导体结构，包括一基底、一控制栅极结构、一熔丝栅极结构，以及一埋置位元线；该基底具有一第一表面、一第一掺杂区、一第二掺杂区，以及一凹处，该第一掺杂区设置在该第一表面下方，该第二掺杂区设置在该第一表面下方，该凹处凹入该基底并...

本公开提供一种鳍式场效晶体管及其制造方法。该鳍式场效晶体管结构包括一第一鳍件及一第二鳍件。该第一鳍件位于一第一基部上，并具有一第一通道区域。该第一通道区域具有一第一通道长度。该第二鳍件位于一第二基部上，并具有一第二通道区域。该第二通道区...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底，该基底具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一封膜，配置在该基底的该第一表面上并覆盖该晶粒；以及一金属层，围绕该封膜与该...

本公开提供一种封装元件及其制备方法。该封装元件包括一支撑组件、一主元件、一密封件以及一导电封装件。该支撑组件具有复数个接地接点。该主元件安装在该支撑组件上。该密封件覆盖该主元件。该导电封装件包围该密封件以及穿经该密封件而暴露的该等接地接...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一气隙区、一覆盖层以及一绝缘层。该气隙区配置在该半导体基底中。该覆盖层配置在该气隙区上。该绝缘层配置在该半导体基底上，且部分地环绕该覆盖层。

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括一基底；一第一导线及一第二导线，配置在该基底上；一第一介电层，配置在该基底上并围绕该第一导线及该第二导线设置；一第一导电通孔，延伸经过该第一介电层并接触该第一导线；一第三导线，配置该...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：一基底、多个金属柱、多个金属突起、一盖层和一钝化层。该金属柱经设置在该基底的上方。该金属突起从该金属柱的一上表面延伸而出。该盖层设置在该金属突起的上方。该钝化层设置在该金属突起和该...

本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构包括一第一晶粒、至少一第二晶粒、位在该第二晶粒上的一重布线层(RDL)、将该第一晶粒与该第二晶粒封入的一封模、位在该封模中的多个第一导体，以及位在该第二晶粒中的多个第二导体。该第...

本公开提供一种半导体封装结构，包括一基底、一互连结构、一第一钝化层、一第二钝化层，以及一穿硅通孔(through silicon via，TSV)。该基底具有一前表面和与该前表面相对的一背表面。该互连结构设置在该基底的该前表面的上方。该...

本公开公开一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基部、多个岛，以及一隔离层。该多个岛中的至少一个包括从该基部的一上表面延伸的一支柱、连接到该支柱的一突起、设置在该突起上方的一封盖层、以及设置在该突起和该封盖层的一侧壁上的一钝化衬...

本公开提供一种多层结构的制备方法，包括下列步骤。将具有一图案层的一基底设置在一反应器中。将一第一金属前驱物引入该反应器中。从该反应器清除一第一过量金属前驱物。将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应以在该...

本公开提供一种多层结构的制备方法。该制备方法包括下列操作：在一反应物中配置一基底；将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该基底上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧...

本公开提供一种存储器元件、存储器系统及存储器元件的读取方法。该存储器元件包括一存储器管理器、一高位存储器以及一低位存储器，其中该高位存储器和该低位存储器电连接到该存储器管理器。该存储器管理器当接收到一交换请求时，用该低位存储器提供的信息...