多层结构的制备方法技术

本公开提供一种多层结构的制备方法，包括下列步骤。将具有一图案层的一基底设置在一反应器中。将一第一金属前驱物引入该反应器中。从该反应器清除一第一过量金属前驱物。将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应以在该图案层上形成一第一含金属层。从该反应器清除一第一过量反应物。将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前驱物吸附在第一含金属层上。从该反应器清除一第二过量金属前驱物。将一第二反应物引入该反应器中，其中该第二反应物与该第二金属前驱物相互反应以在该第一含金属层上形成一第二含金属层。

【技术实现步骤摘要】
多层结构的制备方法
本公开主张2018/12/20申请的美国临时申请案第62/782,693号及2019/03/25的申请的美国正式申请案第16/363,332号优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
半导体产业是经由持续缩小特征尺寸(featuresize)，允许更多元件整合在一所给予的区域中，以持续改善不同电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度(integrationdensity)。在半导体与光伏产业中，二氧化硅为已知用来当作钝化材料(passivationmaterial)，而钝化材料是导致在表面重组中的明显减少。可在温度900℃中以湿式热氧化法(wetthermaloxidation)或者是在氧气环境下温度850℃到1000℃之间以干式氧化法显影一高品质的二氧化硅层。然而，如此高温通常不适合光伏装置的制造。因此，发展出其他方法，例如以化学气相沉积法(CVD)从TEOS结合氧所显影出二氧化硅。而化学气相沉积法的一些缺点是在控制层厚度是困难的，且其结果缺乏膜的高均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层结构的制备方法，包括：/n在一反应器中设置一基底，该基底具有一图案层；/n将一第一金属前驱物引入该反应器中，其中该第一金属前驱物吸附在该图案层上；/n通过抽出一第一过量金属前驱物，以将该第一过量金属前驱物从该反应器清除；/n将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应，以在该图案层上形成一第一含金属层；/n通过抽出一第一过量反应物，以将该第一过量反应物从该反应器清除；/n将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前驱物吸附在该第一含金属层上；/n通过抽出一第二过量金属前驱物，以将该第二过量金属前驱物从该反应器清除；以及/n将一第二反应物引入该反应器...

【技术特征摘要】
20181220 US 62/782,693;20190325 US 16/363,3321.一种多层结构的制备方法，包括：
在一反应器中设置一基底，该基底具有一图案层；
将一第一金属前驱物引入该反应器中，其中该第一金属前驱物吸附在该图案层上；
通过抽出一第一过量金属前驱物，以将该第一过量金属前驱物从该反应器清除；
将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应，以在该图案层上形成一第一含金属层；
通过抽出一第一过量反应物，以将该第一过量反应物从该反应器清除；
将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前驱物吸附在该第一含金属层上；
通过抽出一第二过量金属前驱物，以将该第二过量金属前驱物从该反应器清除；以及
将一第二反应物引入该反应器中，其中该第二反应物与该第二金属前驱物相互反应，以在该第一含金属层上形成一第二含金属层。


2.如权利要求1所述的制备方法，还包括重复该第一金属前驱物引入步骤、该第一过量金属前驱物清除步骤、该第一反应物引入步骤、该第一过量反应物清除步骤、该第二金属前驱物引入步骤、该第二过量金属前驱物清除步骤、以及该第二反应物引入步骤，直至该多层结构具有一期望厚度。


3.如权利要求2所述的制备方法，其中在该第一反应物引入步骤中被引入的该反应物，与在该第二反应物引入步骤中的该反应物相同。


4.如权利要求2所述的制备方法，其中在该第一反应物引入步骤中被引入的该反应物，与在该第二反应物引入步骤中的该反应物不同。


5.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一金属前驱物包括一含硅化合物。


6.如权利要求1所述的制备方法，其中该第二金属前驱物包括一含铪化合物或一含锆化合物。


7.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一反应物与第二反应物包括一含氧化合物或一含氮化合物。


8.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一反应物与该第二反应物包括一含氧及氮的化合物。


9.如权利要求1所述的制备方法，其中在该图案层上的该第一含金属层包括一金属，该金属与包含在该第一金属前驱物中的一金属相同，且在该第一含金属层上的该第二含金属层包括一金属，该金属与包含在该第二金属前驱物中的一金属相同。


10.如权利要求1所述的制备方法，其中该图案层由将一光刻胶层暴露在一图...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏国辉，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71