半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括一基底；一第一导线及一第二导线，配置在该基底上；一第一介电层，配置在该基底上并围绕该第一导线及该第二导线设置；一第一导电通孔，延伸经过该第一介电层并接触该第一导线；一第三导线，配置该第一介电层上并接触该第一导电通孔；以及一第二介电层，配置在该第一介电层上并围绕该第三导线设置；其中该第三导线覆盖该第一导线与该第二导线。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本公开主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,561号及2019/04/17申请的美国正式申请案第16/386,816号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体结构。特别涉及一种在半导体结构中的一互连结构。再者，本公开关于一种包括该互连结构的半导体结构的制备方法。
技术介绍
半导体装置基本上是用于许多现代应用。随着电子科技的进步，半导体装置是持续地变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体装置的小型化，实现不同功能的半导体装置的不同型态与尺寸规模，是整合(integrated)并封装(packaged)在一单一封模中。再者，执行许多制造操作以用于不同型态的半导体装置的整合(integration)。然而，半导体装置的制造(manufacturing)与整合(integration)是包含许多复杂步骤(steps)与操作(operations)。在薄形(low-profile)与高密度(hig本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一基底；/n一第一导线与一第二导线，配置在该基底上；/n一第一介电层，配置在该基底上，并围绕该第一导线与该第二导线；/n一第一导电通孔，延伸经过该第一介电层，并接触在该第一导线上；/n一第三导线，配置在该第一介电层上，并接触该第一导电通孔；以及/n一第二介电层，配置在该第一介电层上，并围绕该第三导线；/n其中该第三导线覆盖该第一导线与该第二导线。/n

【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,561;20190712 US 16/510,2711.一种半导体结构，包括：
一基底；
一第一导线与一第二导线，配置在该基底上；
一第一介电层，配置在该基底上，并围绕该第一导线与该第二导线；
一第一导电通孔，延伸经过该第一介电层，并接触在该第一导线上；
一第三导线，配置在该第一介电层上，并接触该第一导电通孔；以及
一第二介电层，配置在该第一介电层上，并围绕该第三导线；
其中该第三导线覆盖该第一导线与该第二导线。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第三导线的一宽度大于该第一导线的一宽度或是该第二导线的一宽度。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第三导线的一宽度至少为该第一导线的一宽度的两倍。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导线与该第二导线相互平行地延伸。


5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第四导线，配置在该第一导线与该第二导线之间。


6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第三导线覆盖该第四导线。


7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第四导线与该第一导线、该第二导线以及该第三导线电性隔离。


8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第二导电通孔，在该第二导线与该第三导线之间延伸，并接触该第二导线与该第三导线。


9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一导线经由该第一导电通孔、该第二导电通孔以及该第三导线而电性连接该第二导线。


10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一导电通孔是对准该第二导电通孔。


11.如权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仓博，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71