半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括底部衬底、底部衬底上的突出结构、突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜以及突出结构的侧表面的至少一部分与多孔膜之间的空气间隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法于2018年12月21日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体装置及其制造方法”的韩国专利申请No.10-2018-0167539以引用方式全文并入本文中。
实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
随着半导体装置高度集成，布线层之间的距离变窄。布线层之间使用的绝缘层可具有高的介电常数。布线层之间的电容可能由于绝缘层的高介电常数而增大。随着电容变大，可能发生信号延迟，并且因此半导体装置的特性可能变差。
技术实现思路
实施例涉及一种半导体装置，其包括底部衬底、底部衬底上的突出结构、突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜以及突出结构的侧表面的至少一部分与多孔膜之间的空气间隙。实施例还涉及一种半导体装置，其包括底部衬底、底部衬底上的突出结构、沿着突出结构的侧表面延伸的多孔膜以及突出结构的侧表面与多孔膜的内表面之间的空气间隙。底部衬底的上表面可包括与突出结构的侧表面间隔开第一距离的第一点以及与突出结构的侧表面间隔开大于第一距离的第二距离的第二点，并且空气间隙在第一点处的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n底部衬底；/n所述底部衬底上的突出结构；/n所述突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜；以及/n所述突出结构的侧表面的至少一部分与所述多孔膜之间的空气间隙。/n

【技术特征摘要】
20181221 KR 10-2018-01675391.一种半导体装置，包括：
底部衬底；
所述底部衬底上的突出结构；
所述突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜；以及
所述突出结构的侧表面的至少一部分与所述多孔膜之间的空气间隙。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，由所述突出结构的侧表面和所述多孔膜的内表面形成的角为90°或更小。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，由所述突出结构的侧表面和所述多孔膜的内表面形成的角沿着所述多孔膜的内表面连续改变。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多孔膜还位于所述底部衬底的上表面上。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述底部衬底和所述突出结构被实现为一体结构。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述底部衬底和所述突出结构包括不同的材料。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述突出结构包括导电层。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，从所述底部衬底至所述空气间隙的第一高度大于从所述底部衬底至所述导电层的第二高度。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：所述突出结构的侧表面与所述空气间隙的内表面之间的电介质层。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述空气间隙包围所述底部衬底的上表面的一部分，并且由所述电介质层的外表面、所述底部衬底的上表面和所述多孔膜的内表面限定。


11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：
所述电介质层还布置在所述空气间隙与所述底部衬底之间，并且
所述空气间隙由所述电介质层的外表面和所述多孔膜的内表面限定。


12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述电介质层是氧化硅或...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴硕汉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR